添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构的影响-厦门大学学报自然.pdf

第 42 卷 　第 1 期 ( ) Vol . 42 　No . 1 厦门大学学报 自然科学版 　2003 年 1 月 Journal of Xiamen University (Natural Science) J an . 2003 　 ( ) 文章编号 2003 添加剂的整平能力及其对 Cu 电沉积层结构的影响 杨防祖 ,黄 　令 ,许书楷 ,姚士冰 ,陈秉彝 ,周绍民 (厦门大学化学系 ,固体表面物理化学国家重点实验室 ,物理化学研究所 ,福建 厦门 361005) 摘要 : 采用电化学 、X 射线衍射和扫描电镜方法研究酸性镀铜过程中添加剂的整平能力及其对 Cu 电沉积层结构和 表面形貌的影响. 结果表明 ,采用本文所研制的添加剂 ,可以获得光亮 、致密且整平能力可达到 100 % 的 Cu 电沉积 层 ; 所获得的 Cu 镀层均不存在明显的晶面择优取向现象. 镀液中光亮剂单独存在及其与整平剂共存时 ,镀层表面 分别呈现晶粒细小致密形貌和网状结构. 关键词 : Cu 镀层 , 电沉积 ; 添加剂 ; 整平能力 中图分类号 : 0646 文献标识码 :A 　　　　　　　　　　　　　　　 　　酸性光亮镀铜工艺被广泛应用并已进行较深入 镀层结构与表面形貌的影响. 的研究[ 1～8 ] . 作为内层 , 晶粒细小致密 、光亮且平整 的铜镀层可为获得符合质量要求的系列外镀层 、提 1 　实验方法 高基体的抗腐蚀性和降低生产成本提供保证 ; 铜镀 电解液组成和实验条件 : CuSO ·5H O ,220 g/ L , 4 2 层具有优良的导电能力而应用于电子工业中; 平整 - H SO ,60 g/ L ,Cl 80 mg/ L ,XC1 05 mL/ L ,XC2 0 . 2 4 且具有晶面高择优取向的铜镀层可望代替其单晶作 010 mL/ L . XC1 和 XC2 为含硫有机物 、含 N 和/ 或 为制备超结构多层膜的基底内层 ; 在高新技术快速 S 的芳香或杂环有机物. 所有试剂均为分析纯 ,溶液 发展的今天 ,半导体芯片上也采用特殊的铜镀覆工 用二次蒸馏水配制. 阳极为 0 . 03 wt %～0 . 06 wt %的 艺[7 ,8 ] . 磷铜板 ,在不锈钢基体上进行电沉积 ,工作面积 2 × 在铜电沉积过程中 , 需要加入添加剂以提高和 2