MOS器件建模和仿真.ppt

亚阈值区模型 当栅电压小于阈值电压时，沟道处于弱反型状态，Ids并不为0，通常当　　　　　时，称为亚阈值区，此时漏电流不以漂移电流占主导，而是以扩散电流为主. 特点：反型层中电荷Qi远小于耗尽层电荷Qb. 半导体表面电势沿沟道方向不变. 沟道中扩散电流： 弱反型： 源端：Vcb=Vsb; 漏端：Vcb=Vsb+Vds 代入上式可得到源、漏端反型层电荷，最后可推导出漏电流 亚阈值斜率S：亚阈值电流每变化一个数量级所要求栅压的变化量. ----标志开关特性的好坏，体现界面陷阱对器件性能影响程度. 耗尽型器件的漏电流模型 Qm=-Qim+Qjn+Qsc 沟道内可动电荷Qm: 表面积累 表面耗尽 表面反型 忽略扩散电流，漏电流为： 代入Qm，得 Fs根据以下五种状态分别求解： （1）整个表面反型；（2）源端反型、漏端耗尽 （3）整个表面耗尽；（4）源端积累、漏端耗尽 （5）整个表面积累。 MOSFET中迁移率问题 ? 体迁移率与有效场效应迁移率的差别 体迁移率:　与离化杂质散射和晶格散射相关. 有效场效应迁移率：与界面电荷、表面粗糙度、晶格及 　　　　　　　　　离化杂质原子散射相关. ? 栅压引起迁移率退化机理: 　 当Vg引起垂直沟道方向的电场高于某一临界电场时，载流子强烈地推向界面附近，表面散射增加，迁移率减小。 受界面状况的影响＞器件参数的影响 对于TFT器件还存在体缺陷的影响？！ ? 漏压引起迁移率退化机理: 　 当平行沟道方向的横向电场增加到一定值时导致载流子速度饱和，当电场继续增加，速度不变，迁移率减小。 同时考虑纵向电场和横向电场时，迁移率表示式： MOSFET中热载流子效应模型 　　当器件尺寸等比例缩小，而电源电压不变时，横向电场和纵向电场增大，这时沟道中热（高能）载流子会引起栅介质与半导体之间界面损伤或产生氧化物缺陷，从而影响器件的可靠性，导致晶体管的驱动电流降低，甚至电路失效。 ? 栅电流模型（沟道热电子注入栅氧化层的幸运电子模型） ? 须满足条件： (1) 沟道中热电子具有足够的动能. (2) 热电子须经历一次弹性碰撞，水平动量变成垂直动量. (3) 热电子在到达界面前不能有任何非弹性碰撞. 氧化层中的电场： 栅电流： ：改变方向散射的　 　平均自由程 ：最大沟道电场 ：越过Si/SiO2的势垒 ：热电子散射的平均自由程 1）对于N沟MOSFET，栅电流一般为热电子注入引起,栅电流的峰值位于Vgs≈Vds处；Vgs一定时，Vgs≤Vds,　Ig随Vds增大而增大； VgsVds时，工作线性区，Ig减小. 栅电流相关结论： 2）当tox足够小时，栅电流也可由热空穴注入栅氧化层而形成. (空穴来源热电子碰撞离化形成并被沟道电场加速）. 3）对于P沟MOSFET，栅电流峰值发生在低Vgs处，Igs由雪崩热电子（由空穴碰撞离化产生），而不是沟道热空穴形成.当|Vgs|较高时，Ig由热空穴形成. 4）P沟MOSFET的Ig高于N沟MOSFET的Ig（约两个数量级）,因Vgs＜＜Vds,在p沟MOSFET中Eox有利于电子注入。 MOSFET的退化机制 ? 退化现象：MOSFET在连续的工作电压作用后，器　 　　件特性(Vth、Ids、gm、S等）发生变化的现象. ? 原因：沟道（特别是漏端附近）,强电场引起的热载流子效应造成栅介质层损伤（栅介质层中形成电荷陷阱）和半导体/栅介质层之间界面损伤（生成界面电荷）. ? 热载流子效应机制： （1）沟道热电子：沟道内电子加速获得足够能量注入栅介质层. （2）漏雪崩热载流子:　漏端强电场下的雪崩倍增效应,产生热电子和热空穴. (发生条件： VdsVgsVth） （3）衬底热电子：耗尽层中产生的电子或衬底中性区扩散过来的电子在向Si/SiO2界面漂移过程中从表面耗尽层的高电场中获得能量后超过势垒. (发生条件：Vds=0,Vgs0, Vbs较大） （4）二次产生的热电子：漏端附近的雪崩过程形成衬底空穴电流，该空穴电流又通过离化产生二次电子-空穴对，在薄栅介质和背栅电压较大时注入栅介质层. ? n沟MOSFET退化现象比p沟MOSFET严重. 理由:（1）Si/SiO2界面处空穴的势垒高于电子. （2）空穴引起的电子-空穴对产生率较低. MOSFET退化特性的表征 ? 实验方案：（TFT器件而言） 　（1）栅应力：加一定的栅电压（＋或－）， Vds=0 V. （2）漏应力：加一定的漏电压，栅极悬空. （3）同时加Vgs和Vds，相对大小可变化. （4）脉冲应力. ? 实验样品：不同的栅介质种类和厚度、不同的沟道长度的样品. ? 测试方法： 　（1）I-V（Ids-Vds、Ids-Vgs、Ig-Vgs及其迟滞曲线）； 　（2