准谐振反激的原理应用及参数计算.DOCVIP

准谐振反激的原理、应用及参数计算 时间：2010-09-07 17:23:42 来源： 作者： 　　如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关 (Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。 　　准谐振 QR 　　Q(Quasi) 　　R( resonant) 　　主要是降低mosfet的开关损耗，而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。 定期分享海量电源工程师实用学习资料，不打广告，不做推销，致力于打造一个纯净的电源工程师交流与进步的平台。真心想学习的想获取更多免费资料的请加微信，微信号搜索“电源研发精英圈”或“dianyuankaifa”加关注，也可扫描以下二维码关注。每天都有新的资料更新，广告者勿入。 　　 ? 　　从上图中，大家可以讨论一下，一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内，寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时，寄生电容会通过