铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响.pdf

第 28 卷 　第 2 期 太　阳　能　学　报 Vol 28 , No2 2007 年 2 月 ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA Feb ,2007 文章编号 : 2007) 铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响 1 1 2 1 1 邓　海 , 杨德仁 , 唐　骏 , 席珍强 , 阙端麟 ( 1 浙江大学硅材料国家重点实验室 ,杭州 310027 ;2 浙江精工太阳能有限公司 ,宁波 315000) 摘 　要 : 应用微波光电导衰减仪(μ ) - PCD 测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示 :距离 硅锭底部 4～5cm 以及顶部约2cm 的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域 ,而硅锭中间区域的