半导体物理 第六章.pptVIP

6.3 pn结击穿 对pn 结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时,反向电流密度突然迅速增大的现象称为pn结击穿.发生击穿时的反向偏压称为结的击穿电压, 如图所示。 击穿现象中，电流增大的基本原因不是由于迁移率的增大，而是由于载流子数目的增加。到目前为止，pn结击穿共有三种：雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿。 6.3.1 雪崩击穿 在反向偏压下，流过pn结的反向电流，主要是由p区扩散到势垒区中的电子电流和由n区扩散到势垒区中的空穴电流所组成。当反向偏压很大时，势垒区中的电场很强，在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用，具有很大的动能，它们与势垒区内的晶格原子发生碰撞时，能把价键上的电子碰撞出来，成为导电电子，同时产生一个空穴(碰撞电离过程)。从能带观点来看，就是高能量的电子和空穴把满带中的电子激发到导带，产生了电子—空穴对。如图6—23所示 pn结势垒区中电子1碰撞出来一个电子2和一个空穴2，于是一个载流子变成了三个载流子。这三个载流子(电子和空穴)在强电场作用下，向相反的方向运动，还会继续发生碰撞，产生第三代的电子—空穴对。空穴1也如此产生第二代、第三代的载流子。如此继续下去，载流子就大量增加，这种繁殖载流子的方式称为载流子的倍增效应。由于倍增效应，使势垒区单位时间内产生大量载流子，迅速增大了反向电流，从而发生pn结击穿。这就是雪崩击穿的机理。 6. 4. 2 隧道击穿(齐纳击穿) 隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象。因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿现象的，故叫齐纳击穿。 当pn结加反向偏压时，势垒区能带发生倾斜；反向偏压越大，势垒越高，势垒区的内建电场也越强，势垒区能带也越加倾斜，甚至可以使n区的导带底比p区的价带顶还低，如图所示。 如果图中p区价带中的A点和n区导带的B点有相同的能量。因为A和B之间隔着水平距离为?x的禁带,所以电子从A到B的过渡一般不会发生。随着反向偏压的增大，势垒区内的电场增强，能带更加倾斜，?x=Eg/q?E?将变得更短。 当反向偏压达到一定数值，?x短到一定程度时，量子力学证明，p区价带中的电子将通过隧道效应穿过禁带而到达n区导带中。隧道概率是 式中E(x)表示点x处的势垒高度，E为电子能量，x1及x2为势垒区的边界。 将其代入 积分式中，并取积分上、下限为?x及0，故 由上两式看出，对于一定的半导体材料，势垒区中的电场?E?愈大，或隧道长度?x愈短，则电子穿过隧道的概率P愈大。当电场?E?大到一定程度，或?x短到一定程度时，将使p区价带中大量的电子隧道穿过势垒到达n区导带中去，使反向电流急剧增大，于是pn结就发生隧道击穿。这时外加的反向偏压即为隧道击穿电压(或齐纳击穿电压)。  可以利用式 估算一定隧道概率P时所对应的隧道长度?x。例如，对于P= 10?10，Eg=1.12eV，mn*=1.08m0，则?x为3.1nm。 对于Ge, Si (?g~1eV)，当电场强度?E?达到106 V/cm时，可以得到显著的隧穿电流。此时对应的隧道长度?x~10 nm。 式中N*=NDNA/(ND+NA) 。可见N*（VD?V)越大，?x越小，因而隧道概率P就越大，也就越容易发生隧道击穿。杂质浓度较低时，必须加大的反向偏压才能发生隧道击穿。但是反向偏压大时，势垒宽度增大，隧道长度会变长，不利于隧道击穿，但是却有利于雪崩倍增效应。 所以在一般杂质浓度下，雪崩击穿机构是主要的。而杂质浓度高时，反向偏压不高的情况下就能发生隧道击穿，由于势垒区宽度小，不利于雪崩倍增效应，所以在重掺杂的情况下，隧道击穿机制变为主要的。实验表明，对于重掺杂的锗、硅pn结，当击穿电压VBR4Eg/q时，一般为隧道击穿；当VBR6Eg/q时，一般为雪崩击穿；当4Eg/qVBR6Eg/q时，两种击穿机构都存在。 6.4.3 热电击穿 当pn结上施加反向电压时，流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时，对应于一定的反向电流所损耗的功率也增大，这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去，则将引起结温上升。 这种由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿。对于禁带宽度比较小的半导体如锗pn结，由于反向饱和电流密度较大，在室温下这种击穿很重要。 6.5 pn结隧道效应 实际发现，对于两边都是重掺杂的pn结的电流电压特性如图6-27所示，正向电流一开始就随正向电压的增加而迅速上升达到一个极大值Ip，称为峰值电流，对应的正向电压Vp称为峰值电压。随后电压增加，电流反而减小，达