基本光刻工艺.pptVIP

第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －34－ 9.7 光刻胶的去除 刻蚀工艺完成后，作为刻蚀阻挡层的光刻胶已经完成任务，必须从表面去掉。传统的方法是用湿法化学工艺去除，尽管有一些问题，湿法去除在前线工艺还是经常采用的一种方法（特别是硅片表面和MOS栅极暴露并易于受到等离子体中氧气离子的损伤）。 另一种是干法的等离子体去除，在后线工艺中经常采用（此时硅片和MOS栅极已经被绝缘和金属层覆盖）。 湿法去除有许多不同的化学品被由于去除工艺，其选择依据是晶园表层、产品考虑、光刻胶极性和光刻胶的状态（见下图）。 第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －35－ 湿法光刻胶去除表 优点：成本有效性好；可有效去除金属离子；低 温工艺并且不会将晶园暴露于可能的损伤 性辐射。 第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －36－ 无金属表面的湿法化学去除 硫酸和氧化剂溶液 是最常用的去除无金属表面光刻胶的去除剂。无金属表面是指二氧化硅、氮化硅或多晶硅。此溶液可去除负光刻胶和正光刻胶。 有金属表面的湿法化学去除 因为金属会受到侵蚀和氧化，所以有金属表面去除光刻胶相对比较困难。有三