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硕士学位论文 硕士学位论文 氮等离子体处理对SiC MOS栅氧化膜TDDB特 性的影响 Effects of Nitrogen Plasma POA on TDDB Characteristics of SiC MOS Dielectric Layer 作者姓名： 汤 越 学科、专业： 堑堡电王堂 学 号：指导教师： 王德叠 完成日期： 2Q1 5生§月 大连理工大学 Dalian University of Technology 万方数据 万方数据 万方数据 l黜罂螋 l黜罂螋Y2821 6垦Z 大连理工大学学位论文独创性声明 作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究 工作所取得的成果。尽我所知，除文中已经注明引用内容和致谢的地方外， 本论文不包含其他个人或集体已经发表的研究成果，也不包含其他已申请 学位或其他用途使用过的成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献 均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。 若有不实之处，本人愿意承担相关法律责任。 作者签名：—逊督～日期．址年上月旦日学位论文题目：盔鸯藩醢弘峨啦厶虹醛舶绯立型垄挫垂垒岛 万方数据 万方数据 大连理工大学硕士学位论文摘 大连理工大学硕士学位论文 摘 要 与硅相比，第三代半导体碳化硅拥有极好的性质，比如高热导率，高电子迁移率等， 同时也是唯一一种能够通过热氧化过程生长氧化膜的化合物半导体。然而直接通过热氧 化过程制作的4H—SiC MOS器件有着界面缺陷过多，氧化膜可靠性欠佳的问题。其原因 在于热氧化生成的氧化膜中存在着许多缺陷，这些缺陷导致氧化膜击穿所需要的激活能 减小，降低了氧化膜电应力的承受能力。因此减少氧化膜中的缺陷，提高氧化膜可靠性 就成为了SiC MOSFET研究领域的关键问题。 本文使用电子回旋共振(ECR)氮等离子体处理工艺对通过热氧化过程形成的氧化 膜进行处理，制作成为4H—SiC MOS结构。通过I．V测试发现，通过ECR氮等离子体 处理工艺，SiO以H—SiC的势垒高度有效地提高至2．67 eV，接近理论值2．7 eV，击穿场 强达到了10．90 MV／cm。采用阶跃电流经时击穿(SCTDDB)方法研究了ECR氮等离子 体处理对4H．SiC MOS氧化膜经时击穿(TDDB)行为的影响。实验发现，ECR氮等离 子体能够有效提高氧化膜的击穿电荷量与寿命，与未经过当等离子体处理的样品相比， 经过处理的样品击穿电荷量与寿命分别提高了10．100倍和3．4个数量级。同时，本文还 发现经过ECR氮等离子体处理后，样品的耐受电场强度的能力有所提高，而且样品的 均一性有了很大提高，很小场强下就会被击穿的样品被消除，样品的击穿场强分布在一 个较窄的范围内。为了解释ECR氮等离子体处理对于4H．SiC MOS样品TDDB行为的 影响，本文使用了X射线光电子能谱(XPS)测试手段对4H．SiC MOS样品的物理性质 进行分析，结果表明，ECR氮等离子体处理能够有效消除由于不完全氧化而产生的缺陷， 钝化界面，因此提高了氧化膜击穿所需要的激活能，从而提高了样品击穿电荷量与寿命。 以上结果表明，ECR氮等离子体处理能够有效降低4H．SiC MOS栅氧化膜中的缺 陷，提高样品的击穿电荷量与寿命，提高样品的均一性以及对电场应力的耐受能力，改 善了4H．SiC MOS栅氧化膜的可靠性。 关键词：4H-SiC；MOS电容；氮等离子体处理；TDDB 氮等离子体处理对 氮等离子体处理对 SiCMOS 栅氧化膜 TDDB 特性的影响 TA 大连理工大学硕士学位论文Effects 大连理工大学硕士学位论文 Effects of Nitrogen Plasma Processing on TDDB Characteristics of SiC MOS Dielectric Layer Abstract As a promising tllird generation semiconductor，SiC have many better properties such as higher thermal conductivity and higher electron mobility compared with Si．SiC is also the only compound semiconductor that could form dielectric layers through oxidation process． However，4H．SiC MOS devices suffer from the problem of instable oxide layers．The reason is t