垂直结构InGaNGaN量子阱太阳能电池研究.docxVIP

厦门大学学位论文著作权使用声明III 厦门大学学位论文著作权使用声明 III I II Il l Il l I l Ul l IIl Y3025205 本人同意厦门大学根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办 法》等规定保留和使用此学位论文，并向主管部门或其指定机构送交 学位论文(包括纸质版和电子版)，允许学位论文进入厦门大学图书 馆及其数据库被查阅、借阅。本人同意厦门大学将学位论文加入全国 博士、硕士学位论文共建单位数据库进行检索，将学位论文的标题和 摘要汇编出版，采用影印、缩印或者其它方式合理复制学位论文。 本学位论文属于： )1．经厦门大学保密委员会审查核定的保密学位论文， 于 年 月 日解密，解密后适用上述授权。 ( √)2．不保密，适用上述授权。 (请在以上相应括号内打“√”或填上相应内容。保密学位论文 应是已经厦门大学保密委员会审定过的学位论文，未经厦门大学保密 委员会审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不填写的，默认 为公开学位论文，均适用上述授权。) 声明人(签名)：糙萄年 力％年j月2-o日 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 Ⅲ．V族半导体化合物InGaN材料具有连续可调的直接吸收带隙，较高的吸 收系数，较大的电子迁移率和良好的抗辐射能力等优异的光伏特性，为制备高 效空间太阳能电池和全光谱太阳能电池提供了可能。具有反射镜的垂直结构 InGaN太阳能电池，能够增加器件的光吸收效率，缓解电流拥挤效应，有效提 高电池性能。本文从制备工艺、器件的设计和性能分析等方面对垂直结构 InGaN／GaN量子阱太阳能电池进行研究。主要包括以下几个方面： (1)利用胶键合、激光剥离等工艺在外延层和支撑衬底间插入由氧化铟锡 化合物(ITO)层和Cr／AI／Cr(1／350／20nm)铝(A1)反射镜层构成的P型欧姆 反射镜，制备了垂直结构InGaN／GaN量子阱太阳能电池。Al反射镜层在蓝绿 光波段的最大反射率达到80％，ITO层和Al层间铬(Cr)过渡薄层的添加能够 增强两者的粘附性，保证后续制备工艺的进行。胶键合工艺的应用，降低了器 件键合的难度和制备成本。 (2)制备了具有Al反射镜的垂直结构蓝光Ino．17Gao．83N／GaN量子阱太阳 能电池。电池的短路电流密度(Js。)、开路电压(v0。)、填充因子(FF)和转 换效率(T1)分别为1．55mA／cm／、1．89V、74．60％和2．18％，外量子效率(EQE) 响应谱覆盖360nm到450nm波段，在波长385nm处达到峰值，为41．41％。与 报道的大部分相似In组分的蓝光量子阱电池相比，器件的J。。、FF、”相对较好， 但电池的Vo。较小，可能与器件的外延层结构设计和晶体质量有关。 (3)为了进一步扩宽电池的光谱响应，制备了具有Al反射镜的垂直结构 绿光Ino．26Gao．74N／GaN量子阱太阳能电池，同时制备了没有反射镜的器件作对 比，以验证Al反射镜对电池性能的影响。相比没有反射镜的器件，添加Al反 射镜的电池J。。和T1分别提高了48％和56％。电池的EQE响应谱覆盖了360nm 到510nm波段，添加反射镜后，器件在长波段的外量子效率获得了提升，峰值 外量子效率提高了53％。A1反射镜的添加能够将未被量子阱吸收层吸收的光子 反射回量子阱吸收层，增加了光的有效吸收长度，降低了器件的光透过损失， 从而提升了电池的性能。 关键词： InGaN材料；垂直结构；太阳能电池；铝反射镜 万方数据 AbstractAbstract Abstract Abstract III—V nitride InGaN alloys have beneficial photovoltaic properties such as tunable direct energy band gaps，high absorption coefficients，high cartier mobility and superior radiation resistance．These characteristics provide the potential for achieving full spectrum and space solar cells．Vertical-type InGaN solar cell谢m reflector can be a promising candidate for expanding spectral response and improving efficiency．Vertical—structured device Can enhance the light absorpt