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- 2019-08-31 发布于四川
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A1 第 7 章 半导体存储器 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—2 A0 … … A9 第 7 章 半导体存储器 A1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—2 A0 1 A10 第 7 章 半导体存储器 … … A9 A1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—2 A0 R/W 第 7 章 半导体存储器 1 A10 … … A9 A1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—2 A0 I/O0 第 7 章 半导体存储器 R/W 1 A10 … … A9 A1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—2 A0 I/O1 第 7 章 半导体存储器 I/O0 R/W 1 A10 … … A9 A1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—2 A0 I/O2 第 7 章 半导体存储器 I/O1 I/O0 R/W 1 A10 … … A9 A1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—2 A0 I/O3 第 7 章 半导体存储器 I/O2 I/O1 I/O0 R/W 1 A10 … … A9 A1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—1 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 … A9 R/W CS 1024 × 4 RAM—2 A0 * 数字电子技术 第 7 章 半导体存储器 第 7 章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器 (ROM) 7.3 随机存储器 (RAM) 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 返 回 主 目 录 第 7 章 半导体存储器 7.1 概 述 半导体存储器 —— 能存储大量二值信息的半导体器件。 1、按存/ 取功能分 1)只读存储器 (ROM) 2) 随机存储器 (RAM) 半导体 存储器 分 类 ①掩膜 ROM ②可编程 ROM (PROM) ③可擦除的可编程 ROM (EPROM) ① 静态随机存储器 (SRAM) ② 动态随机存储器 (DRAM) 2、按工艺分 1) 双极型 2) MOS型 第 7 章 半导体存储器 7.2 只读存储器 (ROM) 在正常工作时,存储器的数据只能读出,不能写入。 7.2.1 掩膜只读存储器 ——所存储的数据, 在制作过程中使用 掩膜板固定。 一、结构 —— 三部分组成 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 每个或一组存储单元有一个地址码。 —— 提高负载能力及控制三态输出。 —— 许多存储单元排列构成,每个存储 单存放1位二值
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