第6章--电子技术中常用半导体器件.pptVIP

学习与探讨 晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区的掺杂质浓度很高，集电区的掺杂质浓度较低，这样才使得发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，如果互换作用显然不行。 晶体管的发射极 和集电极能否互 换使用？为什么? 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，UCEUBE，集电结也处于正偏，这时内电场大大削弱，这种情况下极不利于集电区收集从发射区到达基区的电子，因此在相同的基极电流IB时，集电极电流IC比放大状态下要小很多，可见饱和区下的电流放大倍数不再等于β。 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？ N型半导体中具有多数载流子电子，同时还有与电子数量相同的正离子及由本征激发的电子—空穴对，因此整块半导体中正负电荷数量相等，呈电中性而不带电。 为什么晶体管基区掺杂质浓度小？而且还要做得很薄？ 第6章 6.5 单极型三极管 单极型三极管只有一种载流子（多数载流子）参与导电而命名之。单极型三极管又是利用电场控制半导体中载流子运动的一种有源器件，因此又称之为场效应管。目前场效应管应用得最多的是以二氧化硅作为绝缘介质的金属—氧化物—半导体绝缘栅型场效应管，这种场效应管简称为CMOS管。 与双极型晶体管相比，单极型三极管除了具有双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点外，还具有输入阻抗高、动态范围大、热稳定性能好、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成等优点。近年来场效应管的发展得非常迅速，很多场合取代了双极型晶体管，特别时大规模集成电路，大都由场效应管构成。 场效应管 实物图 第6章 1. MOS管的基本结构 ?根据场效应管结构和工作原理的不同，一般可分为两大类：结型场效应管和绝缘栅场效应管。 结型场效应N沟道管结构图及电路图符号 结型场效应P沟道管结构图及电路图符号 第6章 绝缘栅型场效应管中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作为金属铝栅极和半导体之间的绝缘层，简称MOS管。它有N沟道和P沟道两类，而每一类又分增强型和耗尽型两种。所谓增强型就是UGS＝0时，漏源之间没有导电沟道，即使在漏源之间加上一定范围内的电压，也没有漏极电流；反之，在UGS=0时，漏源之间存在有导电沟道的称为耗尽型。 左图是N沟道增强型MOS管的结构图：一块杂质浓度较低的P型硅片作为衬底B，在其中扩散两个N+区作为电极，分别称为源极S和漏极D。半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在漏源极间的绝缘层上再制造一层金属铝，称为栅极G。这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。 栅极 漏极 源极 二氧化硅绝缘层 P型硅衬底 铝 第6章 N沟道增强型MOS管图符号 P沟道增强型MOS管图符号 2. MOS管的工作原理 MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)，且N沟道增强型MOS管不存在原始沟道。因此，当UGS=0 时，增强型MOS管的漏源之间相当于有两个背靠背的PN结，所以即使在D、S间加上电压，无论UDD的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此场效应管不能导通，ID=0。 PＮ＋结 UDD － ＋ P型硅衬底 P D S G N＋ N＋ PＮ＋结 UGS 怎样才能产生导电沟道呢？ ++++++++ 耗尽层 导电沟道 在G、S间加正电压，即栅极、衬底间加UGS（与源极连在一起），由于二氧化硅绝缘层的存在，故没有电流。但是金属栅极被充电而聚集正电荷。 P型衬底中的多子空穴被正电荷构成的电场排斥向下运动，在表面留下带负电的受主离子，形成耗尽层。随着G、S间正电压的增加，耗尽层加宽。 当UGS增大到一定值时，衬底中的少子电子被正电荷吸引到表面，在耗尽层和绝缘层之间形成了一个N型薄层，这个反型层构成了漏源之间的导电沟道，这时的UGS称为开启电压UT。UGS继续增加，衬底表面感应电子增多，导电沟道加宽，但耗尽层的宽度却不再变化。即用UGS的大小可以控制导电沟道的宽度。 第6章 ??? 由上述分析可知，N沟道增强型MOS管在UGS＜UT时，导电沟道不能形成，ID=0，这时管子处于截止状态；当UGS=UT时，导电沟道开始形成，此时若在漏源极间加正向电压UDD，就会有漏极电流ID产生，管子开始导通；UGSUT时，随着UGS的增大，导电沟道逐渐变宽，沟道电阻渐小，漏极电流ID渐大。这种漏极电流ID随栅极电位UGS的变化而变化的关系，称为MOS管的压控特性。 MOS管输出电流受输入电压控制的特性 3. MOS管使用注意事项 显然，MOS管是一种受电压控制的电流放大部件。 ?? P衬底应接低电位，N衬底应接高电位；当源极电位很高或很低