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第六章 半导体存储器 6.1 只读存储器（ROM） 6.2 随机存储器（RAM） 存储器的主要指标 （1）存储器的容量：存储器的容量=2n×m(bit) n：地址线总数， 2n 称为字线数。 m: 每一地址单元存储m位二值数，又称为位线数。8位为一字节(Byte)， 210=1024=1K, 220=1024K=1M, 230=1024M=1G 例：11根地址线，8根数据线（8位输出），容量为211×8=16Kb=2KB (2)存取时间 接收到寻址信号到读/写数据为止。 第六章 半导体存储器 6.1 只读存储器（ROM） 6.2 随机存储器（RAM） （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 PROM具有熔丝结构，它的编程方法称为熔丝编程。用户对PROM编程是逐字逐位进行的。首先通过字线和位线选择需要编程的存储单元，然后通过规定宽度和幅度的脉冲电流，将该存储管的熔丝熔断，这样就将该单元的内容改写了。 1.作函数运算表电路 试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 Y7=m12+m13+m14+m15 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y