单晶硅片中氧沉淀演化行为的相场法模型及其模拟研究-材料加工工程专业毕业论文.pdf.docx

山东大学硕士学位论文目录 山东大学硕士学位论文 目录 摘要 I ABSTRACT ．．III 第一章绪论 l 1．1立题背景及意义 一l 1．2硅单晶中的缺陷及硅片的热处理工艺 2 1．2．1硅单晶中的主要缺陷 一2 1．2．2单晶硅片的热处理工艺 一4 1．3单晶硅片热处理的研究进展 ．8 1．3．1实验研究 8 1．3．2计算机数值模拟研究 l O 1．4本文的技术路线和研究内容 ll 1．4．1技术路线 ．1 l 1．4．2研究内容 ．11 第二章相场理论与相场模型 l 3 2．1引言 ．13 2．2相变理论 l3 2．2．1相变 ．1 3 2．2．2朗道(Landau)二级相变理论 1 3 2．2．3形核理论和固态扩散理论 14 2．3相场法基本理论 15 2．3．1相场法基本概念 l 5 2．3．2相界面 ．15 2．3．3系统自由能方程 16 2．3．4控制方程 ．1 7 2．4相场法模拟流程 l 8 2．4．1相场模型构建 19 2．4．2数值解析 ．1 9 万方数据 目录2．4．3模拟区域及网格划分 目录 2．4．3模拟区域及网格划分 20 2．4．4离散化处理 ．20 2．4．5边界条件 ．22 2．4．6模拟流程图 ．22 2．5模拟假设 ．23 2．5．1材料假设 ．23 2．5．2模拟假设 ．24 2．6本章小结 ．24 第三章氧聚集体低温退火阶段演变的相场