红外成像阵列与系统(7).ppt

先测量探测像素的噪声电压 40×40μm2的钛酸铅锆以及钛酸铅电容器 所测得的噪声特性 再用电压响应率与噪声电压比值计算D* 由所测得的电压响应率除以所测得的噪声电压得到的D* 第四节 以砷化镓为衬底的集成热电探测器 砷化镓基底的单片红外探测器的扫描电子显微图 第五节 总结 表面微机械加工技术的应用使得制作高灵敏度、小尺寸像素的单片阵列成为可能。作者在室温下和30Hz的机械调制频率下得到的正常宽带黑体探测率D*达2×108cmHz1/2/W，说明制作热释电薄膜电容器与信号处理电子线路单片集成在同一芯片上 的非致冷红外探测器是可行的 红外成像阵列与系统(7)教材 谢谢 实现方法： 体微机械加工 表面微机械加工 两种方法比较，表面微机械加工技术是热 释电阵列应用的首选： a.不需要两面光刻 b.没有非标准的化学处理 c.可以获得精确的尺寸控制 d.不会削弱衬底的机械强度 四.微机械加工传感器的制作流程设计 第一步 在硅底上沉积一层介电密封层 作用：后面微传感器制备过程中保护下面电路 制备：用PECVD制备高质量的Si3N4 厚度：决定于圆片上是否已制备了晶体管，一般约1微米厚 第二步 沉积和制版牺牲层 作用：作为临时层（牺牲层），将来进行热隔离的气隙区域 制备：用CVD沉积SiO2，若附加掺入磷可形成磷硅玻璃，具有低密度、腐蚀速率快的特点 厚度：通常在0.5~1.0微米 第三步 沉积结构型支持膜层 作用： ⑴增加叠加其上热释电薄膜的刚硬性， 将不需要的压电响应降至最低 ⑵将像素与衬底间的热传导率降最小,以保持高的灵敏度 制备： 需专门的制作流程，使结构膜层具有轻微张力的良好内力特性，并与以前沉积的材料有良好附着特性。 第四步 沉积热释电薄膜 制备：PbTiO3溶胶沉积法 先喷涂一层厚度为500～1000埃的底层铂电极，再沉积PZT或PbTiO3，然后铁电体通过化学腐蚀或离子束溅射制版。 第五步 沉积具有保护作用的密封层 作用：在接下来的微机械加工中作为热释电薄膜的保护层 制备：考虑到热释电薄膜的制作温度限制，在350℃～400℃采用PECVD法沉积1.5~2.0μm厚的氮化硅或非晶体硅 第六步 在氢氟酸中进行侧向牺牲腐蚀 第七步 除去密封层 第八步 热释电像素结构的完成 直接做在前置放大器上热释电微桥垂直示意图 Back 完成第七步后再用钛金蒸镀法在铁电极上沉积一个顶层电极。 MOS晶体管和传感器底部多晶硅电极接触口用化学腐蚀，再喷涂Al（2％Si）形成内连接和键合槽 五.集成电路 基本的热释电微传感器信号处理电路图 热释电像素直接与输入的耗尽型NMOS晶体管的栅极相连。耗尽型晶体管用作输入是由于能通过一个不变的热释电电容器，在零直流的栅－源下进行正常的传输通道工作。而一个耗尽型的输入负载管用作完成一个简单的双三极管放大的结构。两个附加晶体管用作一个传输端供行寻址，以及一个复位晶体管以清除相邻两次信号读出的残余热释电电荷。 阵列图 负载晶体管（M2）为处于同一列的另外63个前置放大器公用。注意到在恰当的工作条件下，任何时刻的64个反相管（M1）只有一个与负载管相连。这个条件可以相应减少芯片上的晶体管数。在这个电路里，晶体管M1，M2是前置放大器的主要元件。这个电路的组态和一个耗尽型负载反相器相似，只是M1管也是一个耗尽型元件。作为一个耗尽管，M1保证了在输入小于1mv时，也就是传感器信号的范围，也能使放大器工作在线形区。M3管阻抗低，并在M2打开时将M2和M1相连。同时还应注意到晶体管M3作为一个共栅极放大器被连接起来，从而降低了限制前置放大器高频响应的米勒效应。晶体管M4管是一个复位管，它在扫描到阵列的最后一个像素时才完全关闭。 第三节 硅基底的集成热电探测器阵列 1.像素结构 其下带有前置放大器的 钛酸铅红外象素元件的扫描电子显微图 带有芯片金属氧化物半导体晶体管的 64×64像素的硅基底单片阵列 Back 2.电路处理 热释电64×64像素阵列结构图 Back 用来去除不想要的热释电效应和环境温度漂移的参考电路 第一级和第三级提供了电压增益，第二级提供了功率增益；模拟电压经过采样后用一个8-Bits的A/D转换器转换成数字信号，这个过程会一直重复直到整个阵列按顺序扫描 3.硅底PbTiO3阵列的性能