通信电子电路_第二章_第6～8节.pptVIP

中和法对增益没有影响，该方法的主要优点是增益高，因为它不是靠牺牲增益来获取稳定性的。但中和法的缺点也是突出的，它不能在一个频段满足实际需要，实际电路中只能在一个频率点起到中和作用。此外，由于晶体管集电极至基极的内部反馈电路并不是一个纯电容，而是具有一定的电阻分量，所以中和电路也应是电阻和电容构成的网络，这使设计和调整都比较麻烦。目前，仅在收音机中采用这种办法，而一些要求较高的通信设备大多不再用中和电路。 图2-43 中和原理 图2-44 放大器的中和 2．失配法 失配是指信号源内阻不与晶体管输入阻抗匹配；晶体管输出端的负载阻抗不与本级晶体管的输出阻抗匹配。 失配法从物理概念上讲，当负载导纳 很大时，输出电路严重失配，输出电压相应减小，反馈到输入端的信号就大大减弱，对输入电路的影响也随之减小。失真越严重，输出电路对输入电路的反作用就越小，放大器基本上可以看作单向化。所以失配法对增益有影响。 用失配法实现晶体管单向化常用的办法是采用共射－共基级联电路组成的调谐放大器，其稳定性较高，实现起来比较简单，得到了广泛的应用。用两只晶体管按共发射极－共基极的方式级联，把它们做成一个复合管。我们知道，在级联放大器中，后一级放大器的输入导纳是前一级放大器的负载，而前一级放大器则是后一级的信号源，它的输出导纳就是信号源的内导纳。晶体管按共基极方式联接时，输入导纳较大，这就等于第一级晶体管的负载导纳 YL 很大， 因此，复合管的输入导纳 ，这使共射管V1 工作在失配状态。同理，按共发射联接的第一级晶体管V1 的输出导纳 yoe 较小，对于 V2 来说，V1 的输出导纳就是它的信源内电导YS ，YS 小，V2 这一级的输出导纳 Yo 就只和共基极晶体管 V2 本身参量有关，而不受它的输入电路的影响 。 图2-45 共发射极－共基极级联的复合管 2.8 集中选频小信号调谐放大器 随着电子技术的发展，窄带信号的放大越来越多地采用集中滤波与集中放大相结合的高频放大器。在集中选频放大器中，放大作用是由宽带高增益放大器来完成，多采用高频线性集成放大电路，而选频作用则由专门的选频滤波器来完成。 其主要优点为： （1）电路简单，调整方便。 （2）性能稳定。 （3）易于大规模生产、成本低。 图2-46 集中选频放大器的组成框图 图中，集中滤波器放在宽带集成放大器的前面，且增加一个前置放大器。这种方案的特点是：当所需放大信号的频带以外有强的干扰信号时，不会直接进入集中放大器，避免此干扰信号因放大器的非线性而产生新的干扰。 集中宽带放大器一般由多级差动集成放大器构成集中选频器的任务是选频，要求在满足通频带指标的同时，矩形系数要好。其主要类型有集中LC滤波器、石英晶体滤波器、陶瓷滤波器和声表面波滤波器等。 声表面波滤波器 目前应用最广泛的集中选频器是声表面波滤波器。 （Surface Acoustic Wave Filter——SAWF）它是一种对频率具有选择作用的无源器件。它是利用某些晶体的压电效应和表面波传播的物理特性制成的新型电—声换能器件。所谓声表面波，就是沿固体介质表面传播且振幅随深入介质的距离增加而迅速减弱的弹性波。 声表面波滤波器自20世纪60年代中期问世以来发展非常迅速，它具有体积小、重量轻、不需要调整、中心频率可做得很高、相对带宽较宽和矩形系数较理想等特点。 SAWF是以压电材料（如铌酸锂和石英）做基片(衬底)，由输入、输出叉指换能器、传输介质和吸声材料四个部分组成。 图2-49（a）为SAWF的基本结构示意图。在经过表面抛光的压电材料衬底上，蒸发一层金属（如铝）导电膜，然后利用一般的光刻工艺则可以制作两个叉指换能器，其中一个用作发射，另一个用作接收。 叉指换能器电极具有换能作用，输入(发射) 换能器将电信号转换成声波，而输出(接收)换能器在是将声波转换成电信号。换能器边缘的吸声材料，主要是为了吸收反射信号。 图2-49 (a) 声表面波滤波器的结构示意图 高频电信号加至输入叉指换能器电极，压电基板材料表面就会产生振动并同时激发出声表面波。声表面波沿基片表面即垂直于换能器电极轴向的两个方向传播，向左传播的声表面波被涂于基片左端的吸收材料所吸收，向右传播的声表面波被接收叉指换能器检测，通过压电效应的作用转换成电信号，并传给负载。 当加入输入叉指换能器的电信号与其对应的声表面波的频率相同或相近时，由输入叉指换能器 激起较大幅度的声表面波，同样，当传播到输出叉指换能器声表面波的频率与输出叉指的固有频率相同或相近时，则在输出叉指上激起幅度较大的电振荡，由此可以实现选频的