第三章各类催化剂及其催化作用.pptVIP

（2）p型半导体上吸附 O2相当于受主杂质，可接受满带的电子增加满带空穴量，随氧压的增加导电率增大，由于满带中有大量电子，因此吸附可一直进行，表面吸附氧浓度较高。 B)对于施电子气体吸附（以H2为例） 对于H2来说，不论在n型还是p型氧化物上以正离子(H+)吸附于表面，在表面形成正电荷，起施主作用。 吸附气体 半导体类型 吸附物种 吸附剂 吸附位 EF φ 导电率 受电子气体（O2） N型V2O5） O2→O2- O-,O22-,O2- V4+ →V5+ 负离子吸附在高价金属上 ? ? ↘ ? ? ↗ ? ? ↘ ? P型 Cu2O O2→O2- O-,O22-,O2- Cu+→ Cu2+ 负离子吸附在高价金属上 ↘ ↗ ↗ 施电子气体（H2） N型 ZnO 1/2H2→H+ Zn2+→Zn+ 正离子气体吸附在低价金属离子上 ↗ ↘ ↗ ? P型 NiO 1/2H2→H+ Ni3+→ Ni2+ 正离子气体吸附在低价金属离子上 ↗ ↘ ↘ 半导体氧化物催化机理 举例：CO在NiO上氧化反应 CO+1/2O2=CO2 △H=272KJ/mol （1）O2在NiO上发生吸附时，电导率由10-11欧姆-1厘米-1上升为10-7欧姆-1厘米-1 。 （2）测得O2转为O-吸时量热法测得微分吸附热为41.8k