集成电路工艺 热氧化薄膜技术.pptVIP

* * * 此处参照教材P107 * 确定氧化层厚度 确定等效的界面电荷密度Qss 3.4 二氧化硅层质量分析 热应力 SiO2（5×10-7K-1）与硅（2.6×10-6 K-1）的热膨胀系数不同，因此在结束氧化退出高温过程后会产生一定的热应力。对SiO2来说受到的是来自硅的压缩应力，这会导致硅片弯曲并产生缺陷，严重时氧化层发生破裂使硅片报废。所以，在加热或冷却过程中必须使硅片均匀受热，保持升温和降温速率不能太大。 3.4 二氧化硅层质量分析 二氧化硅膜缺陷检验 SiO2膜的缺陷有宏观缺陷和微观缺陷两种。所谓宏观缺陷是指用肉眼就可以直接观察到的缺陷。所谓微观缺陷是指必须借助于测试仪器方能观察到的缺陷。 宏观缺陷：又称表面缺陷。它是指：氧化层厚度不均匀、表面有斑点、氧化层上有针孔等等。 氧化层厚度不均匀：造成氧化层厚度不均匀的主要原因是氧化炉管内氧气或水汽不均匀。此外，氧化炉温不稳定、恒温区太短、水温变化不均匀等也都会造成氧化层厚度不均匀。这种不均匀现象，不仅影响了SiO2的掩蔽功能，也使得绝缘性变差，而且光刻工序也会出现钻蚀现象。 要想得到厚度均匀的氧化层，必须使恒温区长而稳定，石英舟必须严格控制在恒温区中间，对于气体流量、炉温、水温都要很好地控制。 3.4 二氧化硅层质量分析 氧化斑点：造成氧化层斑点的原因是硅片表面处理的不干净，残留一些玷污杂质颗粒，在高温下粘附在Si