芯片工艺及光电特性介绍.pptVIP

* * 椭偏仪的主要作用是测量外延片表面沉积的介质膜(SiO2,SiNx)生产质量（厚度及折射率是否匹配）。 椭偏仪 * * 溅射机 溅射机的主要作用是在外延片的上下两个表面（p/n)沉积 金属接触层（电极）。 * * 磨片机 在制作N面电极前将外延片减薄要求的厚度。 * * 制作完P/N两面金属电极后，对芯片进行快速热处理的方式称 为合金，有利于形成平滑的接触面和良好的粘附特性，目的 是为了使管芯形成良好的欧姆接触特性。 合金炉 * * 制作工艺完成后的外延片（未进行解理前的管芯）形貌 LD芯片 PD芯片 * * 划片机：用于解理尺寸规格一致的芯片。 * * 管芯解理 LD bar chip 作镀膜处理 镀膜后检测合格作封装 * * 管芯解理 PD * * P-I-V测试仪：主要用于LD芯片解理成bar后的P-I-V测试 * * PD探针测试仪：主要用于PD芯片解理前测试筛选 * * 镀膜机 在LD两端面上镀光学膜,保证LD单面出光 F-P:保护膜和高反膜 DFB：增透膜和高反膜 * * 谢谢！ 芯片工艺及光电特性介绍. 谢谢 * * 方忠慧 芯片工艺及光电特性介绍 * * LD芯片工艺及光电特性 * * 半导体激光器具体设计： 根据不同的应用要求需要激光器有许多不同的设计： 据光纤通信系统的要求，发射器件一般采用1310nm、1550nm波长的F-P或DFB结构大功率、高线性以及温度特性好的器件：普通采用InGaAsP/InP材料系MQW有源层设计，如果要求较大温度范围内工作的无制冷激光器可以采用AlGaInAs/InP材料系MQW有源层设计；根据应用要求可以制作F-P、DFB结构 ，根据波导结构可以制作RWG和BH两种 。 * * 半导体激光器（Laserdiodes）利用电子注入后半导体材料发生受激辐射并通过相干光子的谐振放大实现激光的输出，在调制电信号输入后完成光信号的输出 。 其激射工作需要满足3个基本条件：要有能实现电子和光场相互作用的半导体材料；要有注入能量的泵浦源；要有一个谐振腔并满足振荡条件。 半导体激光器工作原理 * * FP DFB RWG BH RWG BH InGaAsP/InP AlGaInAs/InP InGaAsP/InP InGaAsP/InP/AlInAs InGaAsP/InP AlGaInAs/InP AlGaInAs/InP InGaAsP/InP 光纤通信用激光器芯片结构分类 LD 1310nm 1550nm 1490nm 850nm(VCSEL) * * P-InGaAs Contact layer P-InP Contact layer Etching Stop layer Upper Confining layer MQW Active region Lower Confining layer N-InP Buffer Layer N-InP Substrate FP LD Wafer DFB LD Wafer InGaAsP grating layer Upper Confining layer MQW Active region Lower Confining layer N-InP Buffer Layer N-InP Substrate * * RWG结构 LD效果图 * * 两种结构的剖面图 RWG B H * * DFB光栅 * * 典型的RWG--F-P LD制作工艺流程 * * 典型的RWG--DFB LD制作工艺流程 * * 典型的BH-DFB LD制作工艺流程图 光栅制作 2MOCVD 1光刻 3MOCVD 1刻蚀 PECVD 2腐蚀 4MOCVD 2光刻 3腐蚀 PECVD 3光刻 4腐蚀 4光刻 1溅射 LIFT/OFF 减薄 2溅射 1检测 划片 镀膜 2检测 划片 贴片 金丝焊 3检测 4老化 封帽 5检测 检测 1MOCVD * * 光电特性 1310nm RWG-FP LD 1310nm BH-FP LD * * 远场特性 BH-LD RWG-LD * * 光谱特性 DFB-LD FP-LD * * PD芯片工艺及光电特性 * * 光电二极管（PD)是一种光电转换器件，其基本原理是：当光照到PN结上时，被吸收的光能转变成电能。这个转变过程是一个吸收过程，与发光二极管的自发辐射过程和激光二极管