电力电子技术第1章电力电子器件.ppt

3、GTR的主要参数(简介) (1)电压参数 电压参数体现了GTR的耐压能力 (2)集电极电流额定值 (3)最大耗散功率 (4)直流电流增益 (5)开关频率 (6)最高结温额定值 1.5 功率场效应晶体管 简称P-MOSFET，电压型全控器件。特点是：控制极静态内阻极高、驱动功率小、工作频率高、热稳定性好、无二次击穿、安全工作区宽等。但P-MOSFET的电流容量小、耐压低、功率不大。 根据导电沟道的类型可分为N沟道和P沟道两类； 根据零栅压时器件的导电状态分为耗尽型和增强型两类。 1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理1、P-MOSFET的结构 P-MOSFET和小功率MOS管导电机理相同，但在结构上有较大的区别。小功率MOS管是一次扩散形成的器件，其栅极G、源极S和漏极D在芯片的同一侧。而P-MOSFET主要采用立式结构，其三个外引电极与小功率MOS管相同，为栅极G、源极S和漏极D，但不在芯片的同一侧。功率场效应管的导电沟道分为N沟道和P沟道，栅偏压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型，栅偏压大于零（N沟道）才存在导电沟道的称为增强型。 下图是P-MOSFET的结构示意图和电气图形符号。 P-MOSFET的结构示意图 P-MOSFET的电气符号 下图是P-MOSFET的电气图形符号，图a表示N沟道功率场效应管，电子流出源极；图b表示P沟道功率