电子科大微电子工艺(第二章)氧化.pptVIP

2. 立式高温炉：节约净化室面积、提高自动化处理水平 2.6 氧化设备 立式高温炉系统 2.6 氧化设备 3. 快速升温炉 传统立式炉与快速升温立式炉的温度曲线对比 2.6 氧化设备 升温速率：15 ℃/min 降温速率：5 ℃/min 升温速率：100℃/min 降温速率：60 ℃/min 1、工艺腔 2、硅片传输系统 3、气体分配系统 4、温控系统 5、尾气系统 2.6 氧化设备 高温炉的组成： 2.7 快速热处理 快速热处理（RTA）是在非常短的时间内（几分之一秒）将单个硅片加热至400～1300℃温度范围的一种方法。 RTA的优点： 1.减少热预算（硅工艺过程中需要的热能：温度*时间） 2.硅中杂质运动最小 3.冷壁加热减少沾污 4.腔体小气氛洁净 5.更短的加工时间 RTA的应用： 1.离子注入退火，以减小注入损伤和电激活杂质 2.沉积氧化膜增密 3.硼磷硅玻璃（BPSG）回流 4.阻挡层退火（如TiN） 5.硅化物形成（如TiSi2） 6.接触合金 2.7 快速热处理 RTP系统： 2.7 快速热处理 第二章习题 书中第十章 8、18、24、25、47 已知线性－抛物线性模型为：t2ox＋Atox＝B(t + τ)。其中，tox为硅片上生长的SiO2总的厚度(μm)；