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- 2019-08-30 发布于湖北
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Adiabatic电路 一、静态CMOS反相器的能耗 功耗从哪儿来? 功耗一般分两种(1)开关的动态功耗, 1 电容充放电 2 P/N MOS 同时打开形成的瞬间短路电流 (2)来自漏电的静态功耗 1 扩散区和衬底形成二极管的反偏电流 2关断晶体管中通过栅氧的电流 芯片的漏电会随温度变化,所以当芯片发热时,静态功耗指数上升,漏电流也会随特征尺寸减少而增加。 公式:Ptotal = Pdynamic + Pshort + Pleakage 一、传统CMOS的能耗 每周期能耗 减小能耗方法:第一,多阈值泄漏优化(mutiple threshold leakage optimization)。库文件一般有三版:低Vth(快,大漏电),标准Vth,高Vth(慢,低漏电)。工具一般尽量用高Vth cell,而由于timing限制则需用低Vth cell.很明显,选库很重要。? ?? ?第二,多个电压域(multiple voltage domains)。不同工作电压需要库的支持。不同电压区域的划分则需要前后端设计的协作。? ?? ???第三,基于门控时钟的本地锁存。这是在成组的flop之前加上特定的时钟门控锁存. ? ?? ???第四,分类门级优化(Classical gate level optimization)。改变单元尺寸,去除不必要
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