电磁场原理(第二版)1章.pptVIP

前者是说任何标量场梯度的旋度恒为零，后者表明任何矢量场旋度的散度恒为零。 2)用 表示标量场梯度的散度时，考虑到 可以写成 ,于是有 。 也叫做拉普拉斯算符，即标量场f(r)的梯度的散度就是f(r)的拉普拉斯运算，反之亦然。 这表明 是一个二阶微分标量算符，它在不同正交坐标系中的具体形式是不同的。 算符也可作用于矢量场，该种运算出现在矢量场的旋度的旋度展开式中，即 在直角坐标系中， 的三个分量分别是Fx,Fy,Fz的拉普拉斯，即 3)两个与 算符有关的恒等式。 ①对于相对坐标标量函数f(r-r′) 式中， 分别表示对场点坐标和源点坐标的拉普拉斯。 ②对于相对位置矢量R及其模R，有 1.6 矢量场的积分定理 1.6.1 高斯散度定理 高斯散度定理是基本的积分定理之一，它表明：在闭面S上及S所包围的区域V内，只要F(r)有连续的一 图1.17 证明高斯定理将区域细分 阶偏导数，则F(r)在S上的闭合面积分等于该矢量场的散度 在V内的体积分，即有 1.6.2 斯托克斯定理 斯托克斯定理与高斯散度定理有着同等重要的意义，它表明：矢量F(r)沿任一闭合路径l的环量，等于F(r) 的旋度在该闭合路径界定的任一曲面S上的通量，即 式中，l的循环方向与dS的方向应符合右手 高斯散度定理对复连域同样适用。借助高斯散度定理，可以实现矢量场散度的体积分与该矢量场的闭合面积分两种运算的相互转换。 取N→∞，ΔSi→0的极限，便得到 图1.18 证明斯托克斯 定理将S面细分 定则，且F(r)在l和S上应有连续的一阶偏 导数。 1.6.3 格林公式 格林公式是将高斯散度定理应用于一类特殊矢量场所得到的结果。令式(1.6.1)中的矢量场 由式(1.3.11)可知 于是得格林第一公式： 式中， 是ψ在S面上的外法向导数。 将式(1.6.3)中φ和ψ的位置交换，又得 式中， 是φ在S上的外法向导数。 式(1.6.3)与式(1.6.4)相减，即得格林第二公式 1.6.4 两个有用的矢量积分恒等式 它们可分别用高斯散度定理、 斯托克斯定理以同样的方法 证明。 1.7 赫姆霍兹定理 1.7.1 矢量场的类型 矢量场有四种类型，即无旋场、 无散场、调和场和一般矢量场。 图1.20 两点间的任意 两条积分路径 1)无旋场的旋度恒为零，但其散度并不为零。无旋场是仅由通量源产生的，静电场是其一例。 无旋场( ×F=0)在其定义域内沿任意闭合路径l的环量恒为零，即 可见无旋场就是保守场。 对于图1.20所示由P，Q两点间的两条路径PnQ和PmQ所构成的回路PnQmP，无旋场F(r)的环量可以写成 因此，无旋场环量为零的特性亦可陈述为：无旋场的线积分与积分起点和终点的位置有关，而与积分路径无关。 根据式(1.5.1)，由 ×F=0可以定义一个标量场φ(r)(通常称为标量位函数)，即 之前所加的负号，意指某点F(r)的方向为该处φ(r)取得最大减小率的方向。 若令 式中b(r)为已知函数。将式(1.7.1)代入上式，即得φ(r)的如下微分方程 这种形式的二阶偏微分方程称为泊松方程。在一定附加条件下，可求得式(1.7.2)的解φ(r)，再按式(1.7.1)便解得无旋场F(r)。 2)无散场(亦称管形场)的散度恒为零，但其旋度并不一定为零。无散扬是仅由旋涡源产生的，恒定 电流产生的磁场即是一例。 无散场 在任意闭面S上的净通量恒等于 零，即 根据式(1.5.2)，由 可定义一个矢量位函数A(r)，即 若令 式中c(r)是已知的矢量函数，将式(1.7.3)代入上 式，得 3)调和场在定义域内的旋度与散度均为零。显然，调和场是由存在于定义域之外的场源所产生的，无电荷区域的静电场和无电流区域的恒定磁场都是调和场。 4)一般矢量场的旋度和散度均不为零，即该矢量场是由旋涡源和通量源共同产生的。无旋场、无散场以及调和场都是一般矢量场的特例。 1.7.2 赫姆霍兹定理 赫姆霍兹定理包括矢量场的唯一性定理和矢量场 的分解定理。 1)唯一性定理：在闭面S所包围的有限区域V(单连域或多连域)内，若给定了矢量场F(r)的旋度和散度，同时还给定了该矢量场在边界S上的法向分量Fn或切向分量Ft，则V内F(r)是唯一确定的 。 2)分解定理：任意一个满足唯一性定理的一般矢量F(