失效分析技术备课讲稿.pptVIP

电子元器件失效分析技术Failure Analysis;一、电子元器件失效分析技术;;典型的闩锁效应电源对地的I－V曲线;引起漏电和短路失效的主要原因： 颗粒引发短路、介质击穿、PN结微等离子击穿、Si－Al互溶 ;V;引起参数漂移的主要原因： 封装内水汽凝结、介质的离子粘污、欧姆接触退化、金属电迁移、辐射损伤 例： Pad点处无钝化层，有水汽的话，会导致短路，水汽蒸发后又恢复绝缘性，表现为工作时参数不稳定。;失效物理模型： 1、应力－强度模型（适于瞬间失效） 失效原因：应力强度 例如：过电应力（EOS）、静电放电（ESD）、闩锁（Latch up）等。 2、应力－时间模型 （适于缓慢退化） 失效原因：应力的时间积累效应，特性变化超差。 例如：金属电迁移、腐蚀、热疲劳等。;3、温度应力－时间模型 反应速度符合下面的规律;产品平均寿命的估算;1.2失效分析的重要意义;失效分析案例;MESFET端面图;1.3失效分析的一般程序;1.4 收集失效现场数据;1.4.2收集失效现场数据的主要内容 失效环境、失效应力、失效发生期以及失效样品在失效前后的电测试结果。 ;失效环境包括：温度、湿度、电源环境、元器件在电路图上的位置和所受电偏置的情况。 ;1.5以失效分析为目的的电测技术;电子元器件电测失效之间的相关性;电测的重要结论：;1.6无损失效分析技术;表2、X射线透视技术和反射式扫