CASTEP概述及一详细教程.ppt

2 计算声子散射和能态密度 3显示声子散射和能态密度 4显示热力学属性 1 优化锗单胞的结构 首先我们要导入锗的结构，它包含在Materials Studio所提供的结构库中。 在菜单栏中选择File | Import。遵循下列路径structures/metals/pure metals选中Ge.xsd。 把它转换为原胞结构后，对它的计算会更快。 从菜单栏中选择Build | Symmetry | Primitive Cell。锗的原胞结构如右所示： 现在开始使用CASTEP来优化锗的几何结构。 从工具栏中选择CASTEP工具 然后选中Calculation或从菜单栏中选择Modules | CASTEP | Calculation。CASTEP Calculation的对话框如下： 几何优化的默认值不包括对单胞的优化。 在Setup标签上，把Task从Energy改为Geometry Optimization，把Functional改为LDA。 在CASTEP Geometry Optimization对话框中，按下More...按钮，勾选上Optimize Cell。 选中Electronic标签，把Energy cutoff 设置为Ultra-fine，把SCF tolerance设置为 Ultra-fine，把k-point set 设置为Coarse以及把Pseudo-potentials设置为 Norm-conserving。 选中Job Control标签。选择你想要在其上运行工作的Gateway location。把Runtime optimization设置为Speed。 按下Run按钮开始运行。 工作递交后开始运行。它大概需要2分钟时间，这主要取决于你的电脑的速度。结果放在一个被称为Ge CASTEP GeomOpt的新文件夹中。 2 计算声子散射和能态密度 为了计算声子散射和声子的能态密度，在从CASTEP Calculation对话框的Properties标签选定适当的属性后，我们必须完成一个单点能量计算。 确定Ge CASTEP GeomOpt文件夹中的Ge.xsd文件示激活文档。 选中CASTEP Calculation对话框中的Setup标签，把Task设置为Energy。 选择Electronic标签，按下More…按钮，显示出CASTEP Electronic Options对话框。选择SCF标签，勾选上Fix occupancy。关闭CASTEP Electronic Options对话框。在CASTEP Calculation对话框中选定Properties标签。选择Phonon dispersion并且把q-vector set设置为medium。选择Phonon density of states并且把q-vector set设置为medium。 选中Job Control标签。选择你想要在其上运行工作的Gateway location。 按下Run按钮。 在Ge CASTEP GeomOpt文件夹中创建了一个名为Ge CASTEP Energy的新文件。当能量计算完成后，两个新文件Ge_PhononDisp.castep和Ge_PhononDOS.castep放在此文件夹中。 3显示声子散射和能态密度 声子散射曲线显示出声子能量沿着布里渊区高对称性方向如何依赖于q向量。此信息可以从单晶的中子散射实验中获得。只有为数不多的物质可以获得这样的信息，所以用来确定建模方法是否正确的理论偏差曲线对于论证在卷首的从头开始计算方法的预测性能力是非常有用的。在一定情形下，它可能测量态密度而不是声子散射。而且与声子的态密度有直接关系的电子—声子交感作用可以通过隧道实验直接测量。所以能够从第一原理计算出声子的态密度是非常重要的。Materials Studio可以从任何.phonon CASTEP输出文件中产生声子散射图和态密度图。这些文件隐藏在Project Explorer里，但是一个.phonon文件会和每一个拥有PhonDisp或PhonDOS后缀的.castep文件一起产生。 现在，我们使用先前的计算结果来创建声子散射图。 从Materials Studio的菜单栏中选择Modules | CASTEP | Analysis。从属性列表中选择Phonon dispersion。确定Results file选择框中显示的是Ge_PhononDisp.castep。 从Units下拉列表中选择cm-1。从Graph style下拉列表中选择Line。 按下View按钮。 在结果文档中创建了