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- 2019-09-15 发布于天津
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第卷第期年月物理学报脉冲激发三能级体系半导体量子点的单光子发射效率李耀义程木田周慧君刘绍鼎王取泉薛其坤武汉大学物理系武汉中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室北京年月日收到年月日收到修改稿研究了脉冲激发下单个半导体量子点中单光子发射的统计特性在旋转波近似条件下由系统粒子数演化主方程并结合量子回归理论推导了二阶相关函数的运动方程利用此方程讨论了二阶相关函数随输入脉冲面积的关系在窄脉冲宽度的脉冲激发下单光子的发射概率和效率都随着强度的增强而产生振荡研究表明采用窄脉冲宽度当输入脉冲面积在附近时可以
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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