第3章场效应管4.pptVIP

4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 UGS / V 2. 特性曲线 ?ID ?UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V ID /mA ID /mA 场效应管 的符号及 特性 (p76） 结型N沟道 结型P沟道 NMOS增强型 NMOS耗尽型 PMOS增强型 PMOS耗尽型 （+） （+） （+） （+） （-） （-） （-） （-） 测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及它 们的开启电压如表所示。试分析各管的工作状态 （截止区、恒流区、可变电阻区）。 管号 UGS(th)/V Us/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 -5 1 3 T2 -4 3 3 10 T3 -4 6 0 5 恒流区 截止区 可变电阻区 3.1.3 场效应管的主要参数 1、直流参数 （1）开启电压UGS(th) UDS为固定值能产生漏极电流ID所需的栅-源电压UGS的最小值 它是增强型MOS管的参数。（NMOS管为正，PMOS管为负） （2）夹断电压 UGS(off) UDS为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅-源电压。 是结型场效应管和耗尽型MOS管的参数（NMOS管为负， PMOS管为正）。 （4）直流输入电阻RGS（DC） 栅-源电压与栅极电流的比值，其值很高, 一般为107-1010左右。 （3）饱和漏极电流IDSS 对于耗尽型MOS管,在UGS =0情况下产生预夹断时的漏极电流。 2、交流参数 gm=?iD / ? uGS? UDS =常数 gm是衡量栅-源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。 （1）低频跨导 gm 管子工作在恒流区并且 UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅-源电压的微变量之比称为低频跨导,即 （2）交流输出电阻rds rds反映了uDS对iD的影响，是输出特性曲线上Q点处切线斜率的倒数． rds在恒流区很大。 3.极限参数 (1)最大漏极电流IDM 管子正常工作时漏极电流的上限值。 (2)最大漏源电压U DS(BR) 管子进入恒流区后，使漏极电流骤然增加的UDS称为漏-源击穿电压。 (管子的极限参数，使用时不可超过。) (3)最大栅源电压U GS(BR) 对于结型场效应管，使栅极与沟道间反向击穿的UGS称为栅-源击穿电压。 对于绝缘栅型场效应管，使绝缘栅层击穿的UGS称为栅-源击穿电压。 (4)最大耗散功率P DM PDM决定于管子允许的温升。 (管子的极限参数，使用时不可超过。) 1.场效应管利用栅源电压控制漏极电流，是电压控制元件，栅极基本不取电流（很小），输入回路电阻很大； 晶体管利用基极电流控制集电极电流，是电流控制元件，基极索取一定电流，输入阻抗较小。 场效应管的栅极g、源极s、漏极d对应于晶体管的基极b、发射极e、集电极c，能实现对信号的控制。 3.1.4 场效应管与双极型晶体管的  比 较 2. 晶体管放大电路的放大倍数通常比场效应管的大。 3. 场效应管只有多子导电，而晶体管多子和少子均参与导电，场效应管比晶体管热稳定性好、抗辐射能力强。 4. 场效应管比晶体管噪声系数小。 5. 场效应管源极、漏极可以互换使用，互换后特性变化不大；而晶体管的发射极和集电极互换后特性差异很大,一般不能互换使用。 6. 场效应管的种类比晶体管多，特别对于耗尽型MOS管，栅-源控制电压可正可负，均能控制漏极电流。 7.ＭＯＳ管的栅极绝缘，外界感应电荷不易泄放。 8. 场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，但场效应管具有集成工艺简单，工作电源电压范围宽，耗电省、低功耗等特点，目前越来越多的应用于集成电路中。 例 已知某管的输出特性曲线如图所示。试分析 该管是什么类型的场效应管。 N沟道增强型MOS管。 2 1 0 5 10 15 10V 8V 6V uDS / V iD /mA 4V 开启电压UGS(th)=4V 例 电路及管子的输出特性如图所示。试分析uI为0、8V 和10V三种情况下uO分别为几伏。 +VDD(+15V) RD 5kΩ uo + - uI + - 2 1 0 5 10 15