第二章 逻辑门电路1.pptVIP

⑶TTL与非门的输出特性 当与非门输入全为高电平时，输出为低电平。T1管倒置工作，T2、T5管饱和导通，T3管微导通，T4管截止。 这时输出级等效电路如图2-10(a)所示，即为一个三极管，其基极电流很大，负载电流方向是流入三极管T5的集电极，故称为灌电流负载。 ①输出为低电平时的输出特性 ⑶TTL与非门的输出特性 ①输出为低电平时的输出特性 其输出特性是一个三极管在基极电流为某一值时共射极接法的输出特性曲线如图2-10(b)所示。 T5饱和，其导通电阻rce很小（十几欧姆），所以iL增加时vO仅稍有增加，输出低电平VOL。 当iL增加到大于某值后，T5管退出饱和进入放大，vO迅速上升，破坏了输出为低电平的逻辑关系，因此对灌电流值要有限制。 ⑶TTL与非门的输出特性 ②输出为高电平时的输出特性 当与非门输入端其中有一端为低电平时，输出为高电平。T1管处于饱和状态，T2、T5管截止，T3、T4管导通。这时输出级等效电路如图2-11(a)所示，负载电流方向是由输出端流向负载，故称为拉电流负载。 ⑶TTL与非门的输出特性 ②输出为高电平时的输出特性 在iL较小时，T5处于饱和边缘，T4管放大，T3、T4组成的复合管有一定的放大作用， 输出特性曲线如图2-11(b)所示。 输出电阻很小，TTL与非门的输出电压vO 随iL变化不大，故输出高电平VOH。 当iL增加到大于某值后，R4上压降增大，VC3下降，使T3进入深饱和， 复合管跟随器处于饱和状态，失去跟随作用，输出电阻为Ri， 输出电压vO随负载电流的增加而迅速下降， vO≈VCC-VCES3-VBE4-iLR4。 为了保证vO为标准高电平。对拉灌电流值要有限制。 ⑷带负载能力 TTL与非门的输出端接上负载后，负载有灌电流负载和拉电流负载。图2-12分别表示灌电流负载和拉电流负载。 拉电流负载增加会使与非门的输出高电平下降； 灌电流负载增加会使与非门的输出低电平上升。 ⑷带负载能力 电路输出高、低电平时有输出电阻，所以输出的高、低电平随负载电流改变，变化小，说明门的带负载能力强。 用输出电平变化不超过某一规定值（高电平不低于高电平下限值VOHmin，低电平不高于低电平的上限值VOLmax）时的最大负载电流，来定量描述门电路的带负载能力大小。 ⑷带负载能力 负载电流大，带负载能力强；反之，带负载能力弱。 一个门的输出电平有高电平、低电平之分，因此，说这个门的带负载能力，必须综合考虑输出高电平时的带负载能力和输出低电平时的带负载能力。 ⑷带负载能力 扇出系数：门电路驱动同类门的最大数目。 输出高电平时的扇出系数 输出低电平时的扇出系数 一个门的扇出系数只能是一个。若NOH和NOL不一样大时，应取NOH和NOL中小的一个。 ⒋TTL与非门的动态特性 ⑴平均传输延迟时间 二极管、三极管存在开关时间，由二极管和三极管构成的TTL电路的状态转换需要一定的时间，即输出不能立即响应输入信号的变化，而有一定的延迟。如图2-13所示。 而电阻、二极管、三极管等元器件寄生电容的存在，还会使输出电压波形的上升沿和下降沿变得不那么陡。 导通传输延迟时间 截止传输延迟时间 平均传输延迟时间 传输延迟时间小，表明门的工作速度可以高，反之，门的工作速度必须降低。 ⒋TTL与非门的动态特性 ⑵动态尖峰电流 静态时TTL与非门电路的电源电流比较小，在10mA左右。在动态情况下，由于T5工作在深饱和状态，T4必定在T5截止之前就导通了。这样就出现了瞬间T4和T5都导通的状态。这一瞬间电源电流比静态时的电源电流大，但持续时间较短，故称之为尖峰电流或浪涌电流。输出由高电平变为低电平时，也会出现T4、T5都导通，导致ICC出现尖峰。 ⒋TTL与非门的动态特性 ⑵动态尖峰电流 如图2-14所示。 在工作频率较高时，尖峰电流对电源平均电流影响不可忽略。它使电源的平均电流增大，这就要求加大电源的容量。 电源的尖峰电流在电路内部流通时，会在电源线和地线上产生电压降，形成一个干扰源，为此，要采取合理的接地和去耦措施，使之在允许范围内。 2.3 其他类型的TTL门电路 TTL门电路除了与非门外，还有其它逻辑功能的门电路，如与门、或门、或非门、与或非门、异或门、同或门、集电极开路门和三态门等，还有与扩展器、或扩展器和与或扩展器等。 主要介绍集电极开路门和三态门。 ⒈集电极开路门(OC门) 线与 ：把几个逻辑门的输出端直接连在一起实现逻辑与。 TTL与非门直接线与出现的问题： F1=1，F2=0就会在电源和地之间形成一个低阻通路，破坏了逻辑关系，而且还会把截止门中的导通管T4烧坏。 ⒈集电极开路门(OC门) ⑴集电极开路门(OC门) ①电路结构：把TTL与非门电路的推拉输出级