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chap7 金属与半导体接触 Metal-semiconductor Contact 制造半导体器件或研究半导体材料的性质；总要涉 及到金－半接触如： 1．器件内引线（集成电路各元件的互连线） 2．外引线 3．汞探针c-v测载流子浓度；四探针（钨丝）测电 阻率 金属－半导体接触类型： 1.半导体为轻掺杂（一般 ），金－ 半接触表现为单向导电（具有整流作用），这 种接触称为肖特基接触（schottky-contact） （整流接触） 应用：微波开关二极管；太阳能电池；整流器 （面积大,功率大，作开关型稳压源）；箝位 chap7 金属与半导体接触 Metal-semiconductor Contact 二极管（用于集成电路“IC”，限制深饱和）（肖 特基势垒二极管） 2．半导体为重掺杂（ ），金－半接 触表现为（正反向偏压）低阻特性。称欧姆接触 （非整流接触）V-I特性对称。 应用：器件引线（外引线及集成电路中的内线） 两种接触的伏安特性： §7.1 肖特基接触及其能带图 1．金属和半导体的功函数 金属功函数 （逸出功,脱出功）： 金属中电子可在金属内自由运动， 但大多数电子不能逸出体外，而 是处于 以下 设真空中电子静止能量为 ，则金属中电子逸出 金属所需的最小能量为 ，即 功函数 的意义：数值的大小表示金属中电子受束缚的强 弱（ 大，电子受束缚强，不易逸出）同时表示 的高低（ 大， 低）。 §7.1 肖特基接触及其能带图 常用的某些金属的功函数（目前数据分散性较大， 不同资料的数据不同） 半导体的功函数（ ）与金属的功函数类似，半导 体的功函数为 与材料种类及掺杂浓度有关－与材料及掺杂浓度 有关 下表给出Si、Ge的功函数（实验值－或笔记）： §7.1 肖特基接触及其能带图 §7.1 肖特基接触及其能带图 2．接触电势差（半导体与半导体接触可以形成接触电势差，如p-n结，原因：电子由费米能级高的材料流向费米能级低的材料，建立起两种材料的电势差）金－半接触电势差与什么因素有关？ 设①金属与n型半导体接触； ② 相同③ 即 接触前 （下面分两种情况讨 金－半接触的问题） ⑴金属于半导体用导线连接，两者距离很远 §7.1 肖特基接触及其能带图 电子由S M转（ ； ） 使S带正电，M带负电，二者间隙形成电场，当两者费米能级相同时，达到平衡， §7.1 肖特基接触及其能带图 （由于电势发生变化，能带中的各能级也发生相应变化） 金属能带中各能级包括 均上升 半导体能带中各能级包括 （实际是下降）（取无穷远处为电势参考点 ） 平衡时， 持平，费米能级的改变量： M中： S中： §7.1 肖特基接触及其能带图 即 ⑵金－半间距很小，设间距为D 有两方面的变化：①电荷分布发 生变化－金属中的负电荷集中分 布在靠近S一侧的表面上；半导体 中的正电荷集中分布在靠近M一侧 的表面层（称为空间电荷层）。 原因：M电荷密度大；S电荷密度小； D小； ； §7.1 肖特基接触及其能带图 ②电荷分布变化——金－半间隙存在电场 ； 半导体表面层内也存在电场，方向指向表面，使表 面层能带发生弯曲，产生表面势 ， 为表面处 与体内的电势差，若体内电势为零， 则 接触电势差 ⑶金－半间距达到原子间距数量级， ，即紧密 接触，电子可以自由穿过间隙。 接触电势差 即接触电势全部降落在半 导体表面层内。 S侧势垒高度（ ，取S体内为电势0点） 金属M侧势垒（肖特基势垒）高度 §7.1 肖特基接触及其能带图 金属M侧势垒（肖特基势垒） 高度 图 3．阻挡层与反阻挡层（