薄膜真空蒸镀3.ppt

中南大学物理学院 第三章 薄膜的制备 薄膜制备的物理方法 真空蒸镀的特点： 真空蒸发沉积薄膜具有简单便利、操作容易、成膜速度快、效率高等特点，是薄膜制备中最为广泛使用的技术，缺点是形成的薄膜与基片结合较差，工艺重复性不好。 蒸发源是蒸发装置的关键部件，大多数金属材料都要求在1000~2000℃的高温下蒸发。因此，必须将蒸发材料加热到很高的蒸发温度。常用的加热方式有：电阻法、电子束法、高频法 、电弧加热法等。 电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点，特别适合制作高熔 点薄膜材料和高纯薄膜材料。 激光蒸发法优点: （1）激光加热可达到极高的温度可蒸发任何高熔点材料，且获得很高的蒸发速率。 （2）由于采用了非接触式加热，激光器可安装在真空室外，既完全避免了来自蒸发源的污染，又简化了真空室，非常适宜在超高真空下制备高纯薄膜。 （3）利用激光束加热能够对某些化合物或合金进行“闪烁蒸发”，有利于保证膜的化学比或防止分解；又由于材料气化时间短促，不足以使 四周材料达到蒸发温度，所以激光蒸发不易出现分馏现象。因此，是淀积介质膜、半导体膜和无机化事物薄膜的好方法。 缺点： 设备昂贵，且并非对所有材料都显示其优越性。另外，由于蒸发材料温度太高，蒸发粒子（原子、分子、簇团等）多易离子化，从而会对膜结构和特性产生一定影响。 激光蒸发法特别适合于蒸发成分较复杂的合金或化合物材料，如高温超导YBa2Cu3O7。 1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念．他们设想如果用两种晶格匹配很好的半导体材料交替地生长周期性结构，每层材料的厚度在100nm以下，则电子沿生长方向的运动将会产生振荡，可用于制造微波器件．他们的这个设想两年以后在一种分子束外延设备上得以实现．  可见，超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料 量子点(quantum dot)是准零维(quasi-zero-dimensional)的纳米材料，由少量的原子所构成。粗略地说，量子点三个维度的尺寸都在100纳米(nm)以下，外观恰似一极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子局限效应(quantum confinement effect)特别显著。 通常是一种由II－VI族或III－V族元素元素组成的纳米颗粒，直径在1一100nm之间，能够接受激发光产生荧光的半导体纳米颗粒。量子点在生物标记、太阳能电池和发光器件等领域具有广泛的应用前景。 衬底材料是影响外延层质量的重要因素。除要求衬底材料在沉积温度下稳定，不发生热分解，不受外延材料及其蒸气的侵蚀和外延材料有相近的热膨胀系数等外，最关键是要求晶格类型和晶格常数应尽可能与外延材料相近。因为外延层的结晶生长与取向行为主要取决于外延材料与衬底材料的晶格结构和原子间距的相互匹配情况。一般，晶格失配达7%时仍能保持单一的外延关系，但晶格结构不同或失配非常大时（≥10%），淀积层则可能呈现相当不同的外延关系，或者根本得不到外延单晶薄膜。此外，淀积过程中的超高真空环境，严格控制适合的衬底温度，各喷射炉的加热温度，分子束的强度和种类等也都是控制外延薄膜生长的重要条件。 （4）MBE是一个动力学过程，即将入射的中性粒子（原子或分子）一个一个地堆 积在衬底上进行生长，而不是一个热力学过程，所以它可生长按照普通热平衡生长方法难以生长的薄膜。 （5）MBE的另一显著特点是生长速率低，大约1μm/h，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭异质结等。MBE特别适于生长超晶格材料。 （6）MBE是在超高真空环境中进行的，而且衬底和分子束源相隔较远，因此可用多种表面分析仪器实时观察生长面上的成分、结构及生长过程，有利于科学研究。 分子束外延制膜是一种将原子一个一个地直接在衬底上进行淀积的方法，因此它与通常CVD外延和真空蒸发镀膜、溅射镀膜相比，有以下特点： （1）MBE虽然也是一个以气体分子论为基础的蒸发过程，但它并不以蒸发温度为控制参数，而是以系统中的四极质谱仪、原子吸收光谱等近代分析仪器，精密地监控分子束的种类和强度，从而严格控制生长过程与生长速率。 （2）MBE是一个超高真空的物理淀积过程，既不需要考虑中间化学反应，又不受质量传输的影响，并且利用快门可对生长和中断进行瞬时控制。因此，膜的组分和掺杂浓度可随源的变化作迅速调整。 （3）MBE的衬底温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。 * 中南大学物理学院 /64 * 薄膜制备的工艺--薄膜制备方法的选择，基体材料的选择及表面