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薄膜黃光蝕刻製程簡介顏良富、簡鼎杰 大 綱 成膜製程 ITO 靶材 品質異常處理 Touch panel ITO layer剖面圖 透明導電膜 可視透過率＞90﹪以上 (400~700nm)，sheet抵抗180 Ω/□以下 高品質透明導電膜的基本要求： 高透過率，低sheet抵抗值。 ITO (Indium-Tin-Oxide): 與其他透明導電膜比較(IZO)，ITO膜的性能好，生產安定性佳。 濺鍍(Sputtering) 利用電漿所產生的離子，藉著離子對被覆材電極的轟擊，使電漿內具有被覆材料的原子，再進行薄膜沉積反應。在陰極靶(Target)加一負高壓，使帶正電離子(一般為Ar +)加速之後，以高動量狀態撞擊靶材，經動量交換後，將靶材表面原子、二次電子(Secondary electron)等濺鍍出。其中，原子在基板(Substrate)表面沈積，形成薄膜;而二次電子朝陽極(基板)加速，並於加速過程中再撞擊Ar氣體，使游離出更多帶正電離子(Ar +)，此正電離子再由負高壓來加速並撞擊靶材，如此不斷重複此過程，置備所需之薄膜。 濺鍍的原理 ITO 製程腔室Chamber說明 ITO成膜特性介紹 ITO膜性質的決定因素: 1.基板溫度:高溫成膜可降低sheet抵抗值 2.成膜壓力:成膜壓力會影響ITO膜與基板間的密著性， 一般成膜壓力控制在5E-03 h Pa ~ 7E-03 h Pa 3.氣體成份: 通常添加Ar及O2 作為濺鍍所需之氣體。理 論上，若O2 的比例越大，其透過率越佳;但 抵抗值則在某一比例時會得到最低值。 成膜方式 濺鍍的種類 成膜方式(續) ITO 膜厚之決定方式 ITO 製程調校 ITO = Indium Tin Oxide 90 wt. % In2O3-10 wt.% SnO2 ITO 靶材製造流程 ITO 靶材製程種類 MMF 製程法 (Mitsui Membrane Filtration Method) CP 製程法 (Cold Press Method) HP 製程法 (Hot Press Method) HP (Hot Press) 製程法 CP (Cool Press) 製程法 MMF (Mitsui Membrane Filter) 製程法 ITO 靶材製程種類與密度特性 ITO 靶材技術發展方向 減少nodule發生 (nodule less) 降低成本 (cost down) 防止靶材破裂 (crack) 減少原始污染物 (initial particle) 品 質 異 常 處 理 特性值(膜厚、阻抗值、透過率)數值稍差調整 特性值(膜厚、阻抗值、透過率)數值異常之可能發生因素 膜面刮傷異常之可能原因及處置 靶材更換後，真空異常之可能原因 特性值(膜厚、阻抗值、透過率)數值稍差調整 一般膜厚偏高或低則調低或高每一層之 濺鍍功率即可 一般阻抗偏高則調高每一層之濺鍍功率，即可降低阻抗值 特性值(阻抗或透過率)數值異常之可能發生因素 濺鍍處理壓力異常: ?MFC之氣體流量異常= 檢查每一氣體流量是否異常 ?進料穿越漏氣 = 檢查處理壓力異常處 ?底下漏氣 = 檢查處理壓力異常處 ?濺鍍內部Carrier 感測器之石英玻璃是否破裂 ?靶材是否擊穿漏水 ?濺鍍 Chamber間是否有Gap造成漏氣 濺鍍功率異常: ?電源供應損壞 ?Sparc損壞 ? 剝離造成靶材和備品導通 量測機台異常或人員量測錯誤 靶材更換後，真空異常之可能原因 氣灑裝置異常(螺絲未裝或未鎖緊;O-環損壞或未裝) 背板有坑洞傷痕 靶材未裝好或鐵弗龍框架變形，O-環不潔或受損 腔室上之O-環不潔或受損 清機後東西未收拾完全(如無塵布留在腔室…等) 設備工程師保養不妥善 背板漏水 其他 綱要 黃光工程基本概念 黃光製程流程簡介 黃光設備功能簡介 黃光工程基本概念 黃光工程基本概念 黃光製程流程簡介(正型光阻) 黃光設備功能簡介 Cleaner (溼式洗淨) Detergent Cleaner DIW Cleaner Brush Area 基板可藉由刷洗的程序除去較大粒徑的異物(?100μm)。 毛刷旋轉方向可分為順時針與逆時針兩種。 Jet-Spray 噴射灑水可除去中等粒徑的異物(? 25μm) 。 噴射灑水洗淨又稱為二流體(liquid + gas)洗淨。 超音波洗淨的功能 超高音波洗淨可除去細微粒徑(? 10