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* * 第2章光电导器件 光电导器件又称光敏电阻（photovaristor）——利用具有光电导效应的材料制成电导随入射光度量变化器件。 光敏电阻材料：硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等。 光电导效应——某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象。 符号 2.1 光敏电阻的原理与结构 本征型光敏电阻 本征半导体常用于可见光波段测量 杂质半导体常用于红外波段测量 杂质型光敏电阻 光照越强电阻越？ 光敏电阻的基本结构 与电极间距平方成反比 弱光照下 强光照下 与电极间距3/2次方成反比，与光通量有关且是非线性的 因为增大受光面积，可以提高光电导；减小两极间距离ｌ可以提高光电灵敏度。所以就将光敏电阻的形状制造成蛇形。 光敏电阻的优缺点 光敏电阻优点： 1.光谱响应相当宽。 2.所测的光强范围宽，即可对强光响应，也可对弱光响应。 3.无极性之分，使用方便，成本低，寿命长。 4.灵敏度高，工作电流大，可达数毫安。 光敏电阻缺点： 强光照射下线性较差，频率特性也较差。 3.典型光敏电阻 （1） CdS(硫化镉)光敏电阻 ——可见光区 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52μm，CdSe (硒化镉)光敏电阻为0.72μm，一般调整S和Se的比例，可使Cd（S，Se）光敏电阻的峰值响应波长大致控制在0.52~0.72μm范围内。亮暗电导比可达1011，一般为106 被广泛地应用于灯光的自动控制，照相机的自动测光等。 （2） PbS(硫化铅)光敏电阻 ——红外区 PbS光敏电阻在2μm附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火灾的探测等领域。 （3）InSb(锑化铟)光敏电阻——红外区 InSb光敏电阻是3~5μm光谱范围内的主要探测器件之一。 （4）Hg1-xCdxTe系列器件——红外区 它是目前所有红外探测器中性能最优良最有前途的探测器件。由HgTe（碲化汞）和CdTe两种材料混合制造，其中x标明Cd元素含量的组分。不同x，Eg不同。一般组分x的变化范围为0.18~0.4，对应长波长的变化范围为1~30μm。 光敏电阻分类 紫外光敏电阻器：对紫外线较灵敏，包括硫化镉、硒化镉光敏电阻器等，用于探测紫外线。 红外光敏电阻器：主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅。锑化铟等光敏电阻器，广泛用于导弹制导、天文探测、非接触测量、人体病变探测、红外光谱，红外通信等国防、科学研究和工农业生产中。 可见光光敏电阻器：包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻器等。主要用于各种光电控制系统，如光电自动开关门户，航标灯、路灯和其他照明系统的自动亮灭，自动给水和自动停水装置，机械上的自动保护装置和“位置检测器”，极薄零件的厚度检测器，照相机自动曝光装置，光电计数器，烟雾报警器，光电跟踪系统等方面。 光敏电阻命名规则 第一部分：主称 第二部分：用途或特征 第三部分：序号 字母 含义 数字 含义 MG 光敏电阻器 0 特殊 序号，以区别该电阻器的外形尺寸及性能指标 1 紫外光 2 紫外光 3 紫外光 4 可见光 5 可见光 6 可见光 7 红外光 8 红外光 9 红外光 MG45-14（可见光敏电阻器） M――敏感电阻器 G――光敏电阻器 4――可见光 5-14――序号 例： 2.2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性参数包含光电导特性、时间响应、光谱响应、伏安特性与噪声特性等。 相关概念 暗电流：无光时由热激发产生的载流子形成的电流 亮电流：光照时电阻加上一定的电压所通过的电流 光电导：光敏电阻由光照产生的电导 光电流：由光照产生的电流 暗电阻和暗电导：室温下，光敏电阻在全暗时的电阻和电导 亮电阻和亮电导：光敏电阻在一定光照时的电阻和电导 光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。 1. 光电特性 弱光照下 强光照下 弱光照时光电导与光照是线性关系，则 一般情况下光电导与光照关系 光电阻： 强光时非线性 光照越强电阻越？ 在对数坐标系中光敏电阻的阻值R在某段照度EV范围内的光电特性近似表现为线性，即γ保持不变。则有： R1与R2分别是照度为E1和E2时光敏电阻的阻值。 2.光敏电阻伏安特性 在不同光照下加在光敏电阻两端的电压U与流过它的电流Ip的关系曲线，并称其为光敏电阻的伏安特性。图2-5所示为典型CdS光敏电阻的伏安特性曲线 。 图中虚线为允许功耗曲线，由此可确定光敏电阻正常工作电压。 3.光敏电阻的温度特性 以室温（25℃）的相对光电导率为100%，观测光敏电阻的相对光电导率随温度的变化关系，可以看出光敏电阻的相对光电导率随温度的升高而下降，光电响应特性随着温度的变化较大。这是