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半导体二极管及基本电路 第一章 半导体二极管及基本电路 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结的形成及特性 1.3 二极管及伏安特性 1.5 二极管基本电路及分析方法 1.6 特殊二极管 1.4 二极管的等效模型 1.1 半导体的基本知识 一、本征半导体 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、半导体 导电物质可分为： 导体：金属 绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等 半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等 半导体的导电特性： 1、半导体导电能力受环境影响很大 （1）受温度： 当温度改变时，其导电能力改变 热敏元件 （2）受光照： 当光照强度改变时，其导电能力改变 光敏元件 2、半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强 2、本征半导体（纯半导体） Si：14个电子 2）8）4 Ge：32个电子 2）8）18）4 4价元素 价电子数可决定物质化学性质 （1） （2）晶体结构 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si Si Si Si Si 自由电子 空穴 本征激发产生成对的自由电子和空穴 （3）本征半导体的导电机理 温度愈高或光照越强，晶体中产生的成对的自由电子和空穴便愈多。 自由电子和空穴形成两种载流子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 二、N型半导体和 P 型半导体（杂质半导体） 多余电子 磷原子 在本征半导体中掺入微量的5价元素 ，形成N型半导体。 Si Si Si Si p+ 在常温下即可变为自由电子 1、N型半导体 多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴 动画 2、 P 型半导体 Si Si Si Si B– 硼原子 空穴 注意：无论N型或P型半导体都是中性的（其正负电荷数相等），对外不显电性、不带电。 在本征半导体中掺入微量的3价元素 ，形成P型半导体。 多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子 动画 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 1.2 PN结及单向导电性 一、PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 扩散的结果使空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 1、扩散运动 由于浓度不同，多子运动，形成内电场，阻碍了多子继续扩散。 2、漂移运动 少子在内电场的作用下形成漂移运动。 动画 又称为 耗尽层 二、PN结的单向导电性 1、PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 I 外电场克服内电场，使多子不断扩散，形成较大的扩散电流，此时PN结呈现低阻，处于导通状态 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + 动画 + – PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 2、PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 P接负、N接正 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 动画 – + PN 结变宽 IS 外电场加强内电场，使多子不能扩散，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状