半导体物理总复习例题课件.ppt

半导体物理总复习例题;作图题 plotting;例 1 设想图示为 p 型和 n 型半导体分离时的能带图：;请绘出它们构成 pn 结后在外加零偏、正偏和反偏情况下相应的能带图。图内应标出接触电位差、正向电压或反向电压，并对载流子运动、结上电压和流过结的电流作简要的文字说明。 ;解：① 外加零偏的能带图; P 区的导带和价带能量比 N 区的导带和价带高 qUD，即势垒区存在的势垒高度 UD 称结的接触电势差，此时载流子的漂移分量和扩散分量大小相等，方向相反，故 pn 结无净电流流过 。 ;② 外加正偏的能带图; pn 结的势垒高度下降为 q（UD - UF）后，流过结的载流子漂移电流将减少，载流子的扩散电流将超过漂移电流，故有净电流流过 pn 结，势垒区两侧出现非平衡栽流子积累。;③ 外加反偏的能带图; pn 结的势垒高度相应由 qUD 增高为 q（UD + UR）。载流子的漂移电流将超过扩散电流，pn 结也有净电流流过，但远比正偏时要小，称反向饱和漏电流。;例 2 分别画出 n 型半导体;(3) 出现强反型层时的能带图并求出出现强反型层的条件。;解： ;平带 UG = 0;积累层情况，如下图：;耗尽层情况，如下图：;(2) 开始反型的能带图：; 如果 ns 和 ps 分别表示表面的电子密度和空穴密度，EiS 表示表面的本征费米能级，则开始出现反型层 的条件是;由于 ;(3) 开始强反型的能带图： ;出现强反型层的条件是 ;例 3 设想图示为金属和 n 型半导体分离时的能带图：;EC;绘出它们构成肖特基结后在外加零、正和反偏情况下相应的能带图，标出势垒高度、正向电压或反向电压，并简要说明载流子运动、结上电压和流过结的电流。;解：;平衡时整个系统的费米能级统一一致。电子的势垒高度为 ?nb = ?m ， Schottky 结上电压 UJ = (?m - ?s ) /q;此时从金属向半导体发射的热电子流等于从半导体向金属注入的电子流，故 Schottky 结无净电流流过。 ;N 型半导体;外加正向电压 UF 后，Schottky 结上电压由零偏时的的 UJ0 下降为 （ UJ – UF ） 金属侧的势垒高度仍为 ?nb 不变。;但半导体侧的势垒高度由 qUJ 降为 q（UJ – UF ）从而使从半导体向金属注入的电子电流大于金???向半导体发射的电子电流，Schottky 结有净电流流过。 ;③ 反偏时 Schottky 结的能带如下图 ; Schottky 结外加反向电压 UR 时，结上电压由零偏时的 UJ0 增大为 （ UJ + UR ） 金属侧的势垒高度还是 ?nb 不变。;半导体侧的势垒高度相应由 qUJ0 增高为 q（UJ + UR） 导致半导体向金属注入的电子流远小于金属向半导体发射的电子流。; Schottky 结有净电流流过，即 Schottky 势垒结的反向饱和漏电流。;证明题  proof;例4. 假定τ0 = τp = τn 为不随样品掺杂密度改变的常数，试求电导率为何值时，样品的小讯号寿命取极大值。证明寿命的极大值为; 解： ;已知τ0 = τp = τn 故;可得 ;得出 ;把 n0 · p0 = ni2 代入上式则有 ;容易验证 ;利用 ;在 中代入 ;可求出 ;;;根据小注入寿命公式，当τ0 = τp = τn 时，可以讨论寿命 τ 与复合中心能级 Et 在禁带中位置的关系及其物理意义。;首先，利用;容易看出，Ei ≠ Et 时，无论 Et 在 EV 的上方，还是在 EC 的下方，它与 Ei 相距越远，第二项的数值就越大， 即τ 越大，复合中心的复合作用越弱。;当 Ei = Et 时，τ 取极小值，即复合中心能级与本征费米能级重合时，复合中心的复合作用最强。;推算题  derivation and calculation;例5，试计算 (1) PN 结正向压降每增加0.06V，正向电流约增加多少倍？ (2) PN结正向电流增加1倍，正向电压将增加多少？ (已知：ln 2 = 0.6931；ln 10 = 2.3025 );解：;设正向压降增加 0.06V 时的正向电流为IF（+）;求得;(2) 设正向电流增加 1 倍时结的正向电压为 UF（+）;例6 两块 n 型硅材料，在某一温度 T 时，第一块与第二块的电子密度之比为 n1 ／ n2 = e ( e