半导体物理 第五章.ppt

载流子的运动过程（以电子为例）：无外加电场: 在没有外加电场的情况下，电子在半导体晶体材料中进行无规则的热运动。 由于电子与晶格原子之间的碰撞作用，这种无规则的热运动将不断地改变电子的运动方向。温度越高，电子在发生两次碰撞之间的自由运动时间也就越短。 存在外加电场：在有外加电场存在的情况下，电子除了无规则的热运动之外，还将在外加电场的作用下做定向的加速运动。但是电子的速度不会无限制地增加下去，而是会因为碰撞作用不断地失去定向运动的速度，然后再重新开始加速，最后等效来看，电子在外加电场的作用下将会获得一个平均的定向运动速度。 存在外加电场，电子在半导体晶体材料中的运动轨迹： 5.1.1 漂移电流密度电流密度 J（A/cm2): 通过垂直于电流方向单位面 积的电流。漂移电流密度表示方法：Jdrf 如下图所示的一块半导体材料，当在其两端外加电压V之后，所形成的电流密度为： 在低电场情况下，载流子的定向漂移速度与外加电场成正比，即： 5.1.2 迁移率 迁移率是半导体的重要参数，反映了载流子的漂移特性。  定义：弱电场情况下 对于空穴而言，则有： 设空穴其自由运动时间为τcp。则空穴在一次自由运动时间内所获得的定向漂移运动速度为: 同样，对电子来说，设其自由运动时间为τcn，则有： 硅单晶材料中电子的迁移率随温度的变化。 从图中可以出，在掺杂浓度较低时，空穴的迁移率同样随温度的变化十分明显。这表明在低掺杂浓度的条件下，空穴的迁移率也是主要受晶格振动散射的影响。 2）电离杂质散射电离的杂质在它的周围邻近地区形成库仑场，库仑作用引起的散射会改变载流子的速度。  由电离杂质散射所决定的载流子迁移率随温度和总的电离杂质浓度的变化关系为： 原因： 温度越高，载流子热运动的程度就会越剧烈，载流子通过离化杂质电荷中心附近所需的时间就会越短，离化杂质散射所起的作用也就越小，迁移率越大。 离化杂质浓度越高，散射中心增多，载流子遭受散射的机会越多，迁移率越小。 室温条件（300K）下，硅单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。 室温（300K）条件下，锗单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。 室温（300K）条件下砷化镓单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。 3）存在两种散射机制时载流子的迁移率假设τL是由于晶格振动散射所导致的载流子自由运动时间，则载流子在dt时间内发生晶格振动散射的几率为dt /τL；假设τI是由于离化杂质散射所导致的载流子自由运动时间，则载流子在dt时间内发生离化杂质散射的几率为dt / τI；如果两种散射机制相互独立，则在dt时间内载流子发生散射的总几率为： 上式中：μI：只有离化杂质散射存在时的载流子迁移率；μL：只有晶格振动散射存在时的载流子迁移率；μ：总的载流子迁移率。当有多个独立的散射机制同时存在时，上式依然成立，这也意味着由于多种散射机制的影响，载流子总的迁移率将会更低。 σ：半导体晶体材料的电导率，单位(Ω?cm)-1。 硅单晶材料在300K条件下，电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在300K条件下，电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 半导体材料的欧姆定律对于如图所示的一块半导体材料，当在其两端外加电压V时，流过截面A的电流密度为： 上式即为半导体材料中的欧姆定律。 假设有一块掺杂浓度为NA的P型半导体材料（ ND＝0），且NAni，假设电子和空穴的迁移率基本上是在一个数量级上，则半导体材料的电导率为： 小结: 电阻率（电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度）和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性关系。 杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因： 迁移率随杂质浓度的增加而显著下降。 对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率）主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。 由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下，不一定本征半导体的电导率最小。 电导率同温度的关系：施主浓度ND为1E15cm-3 ，N型半导体材料中的电子浓度及其电导率随温度的变化关系曲线。 总结:1）中等温度区（200K至450K）：在此温度区内载流子以非本征激发为主，杂质完全电离，电子的浓度基本保持不变；但在该温度区内，载流子的迁移率随温度的升高而下降，因此半导体的电导率随温度的升高出现了一段下降的情形。 2）高温区（本征激发区），本征载流子的浓度随着温度的上升而迅速增加，因此电导率也随着温度的上升而迅速增加。3）低温区，由于杂质原子的冻结效应，载流子浓度和半导体材料的电导率都