传感器原理及应用第章磁敏传感器课件.ppt

传感器原理及应用 第5章 磁敏传感器;;5.1 概述;5.2 霍尔元件 ;5.2 霍尔元件 ;5.2 霍尔元件 ;　洛仑兹力为： f1 =ev×B 　　式中 e—电子电量； 　 v—电子运动速度 B—磁场的磁感应强度。;　由于电流强度为Ｉ=jbd=-nevdb 其中，d 霍尔元件厚度，得电子运动速度为 ;代入霍尔电势公式（５-2），得 　　　　（5-7） ;则 UH=KHIB （5-8） 由上式可知，霍尔传感器的灵敏度是在单位磁感应强度B=1和单位控制电流I=1作用下，所产生的霍尔电势。;可以推导出：RH =μρ 其中μ为电子迁移率；ρ为材料的电阻率 金属材料和绝缘材料不适合用于制作霍尔元件 霍尔元件越薄（即d越小），霍尔传感器的灵敏度KH越高。但过薄的元件会使输入、输出电阻增大。 ;磁场与元件法线的夹角 UH＝KHIBcosα 元件的几何形状 (形状效应因子f(l/b)） UH＝KHIBf(l/b);5.2.2 影响霍尔效应的因素 ;霍尔元件基本结构 ;额定激励电流和最大允许激励电流 输入电阻和输出电阻 不等位电势和不等位电阻 寄生直流电势 霍尔电势温度系数 乘积灵敏度KH（V/A · T） 磁灵敏度SB（V/T）;额定激励电流和最大允许激励电流 额定控制电流：当霍尔元件有控制电流使其本身在 空气中产生10℃温升时，对应的控制电流值。 最大允许控制电流：以元件允许的最大温升限制所对 应的控制电流值。 输入电阻Ri和输出电阻Ro Ri——控制电极之间的电阻值； Ro——霍尔电极之间的电阻。;不等位电势UO和不等位电阻rO 在额定控制电流I之下，不加磁场时，霍尔电极间的空载霍尔电势称为不平衡电势UO。不平衡电势和额定控制电流I之比为不平衡电阻ro。 ;寄生直流电势 霍尔元件零位误差的一部分 当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个直流电势。 原因：1. 控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时，会产生整流效应。 2. 两个霍尔电极焊点的不一致，引起两电极温度不同产生温差电势。 霍尔电势温度系数α 在一定磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率，称霍尔温度系数α，单位：1／℃。;乘积灵敏度KH（V/A · T） KH=UH/(IC*B) 磁灵敏度SB（V/T） 额定控制电流IC作用下： SB=UH/B ;霍尔输出电势与控制电流(直流或交流)之间的关系(即UH—I特性)。 控制电流灵敏度KI＝UH/I(=KHB);霍尔输出电势与直流控制电压之间的关系 (即UH—V特性) I=V/R=Vbd/(ρl) UH=KHIBf(l/B)=μ(b/l)BVf(l/B) (KH=RH/d) 可见，UH与电压V成正比，与元件几何宽长比b/l成正比。这与几何因子的变化趋势相反。;霍尔输出与磁场(恒定或交变)之间的关系 (即UH—B特性) 当B0.5T(即5000Gs) 时，呈现较好的线性;元件的输入或输出电阻与磁场之间的关系(即R一B特性) 霍尔元件的内阻随磁 场强度的增加而增加， 即存在所谓磁阻效应; 输入信号: I.B或者I或者B ;2、连接方式 ;3、霍尔电势的输出电路 ;霍尔传感器开关应用 ;四、霍尔元件的测量误差和补偿方法 ;5.2.6 霍尔元件不等位电势补偿 ;温度误差：霍尔元件的内阻（输入、输出电阻）　　　　　随温度变化。 原 因：由于半导体材料的电阻率、迁移率和　　　　　载流于浓度等都会随温度变化而变化。 补偿方法： 　　① 利用输出回路的并联温敏电阻进行补偿 　　② 利用输入回路的串联电阻进行补偿;输出回路并联温敏电阻（控制电流恒定）;补偿电阻值确定;输入回路串联电阻 （控制电压恒定）;串联电阻值确定;双霍尔元件补偿法 (图 5?11 ) 霍尔元件输出电阻的温度补偿 ;开关型霍尔集成传感器 开关型霍尔集成传感器的结构及工作原理 ;5.2.8 霍尔集成电路 ;开关型霍尔集成传感器的工作特性 ;图 5?17 双稳态型传感器的