晶体硅太阳能电池技术发展方向课件.pptVIP

晶体硅太阳能电池技术发展方向;太阳能电池的分类;Page *;晶体硅太阳能电池的新技术;分析下表的内容得出以下结论：要将电池的生产成本降低到1美元/WP以下，电池的转换效率必须要高于18%，并要求生产成本低、生产能力高。;Page *; 澳大利亚新南威尔士大学研发 钝化发射区和背面局部扩散（PERL）单晶硅电池 ? ＝24.7%;制造过程相当烦琐，涉及到多道光刻工艺，工艺高，很难应用于大规模工业生产。;单晶硅高效化：PPC电池;单晶硅高效化：LBSF电池;◆;◆激光刻槽埋栅电池 ;埋栅电池具有高效的原因是： （1）绒面、减反射膜和背面反射器的结合使太阳光充分被利用； （2）栅指电极只占电池表面积2～4％，遮光率很小，提高短路电流密度； （3）栅指电极排列紧密减小发射极电阻； （4）淡磷扩散避免形成“死层”，增加对短波的吸收； （5）埋栅电极处实行重掺杂使接触电阻降低，有利于欧姆接触； （6）埋栅电极深入到硅衬底内部增加对基区光生电子的收集； （7）浓磷扩散降低浓磷区电阻功耗和栅指电极与衬底的接触电阻功耗，提高电池的开路电压。 ;◆日本Sanyo －a-Si/c-Si异质结（HIT）电池; HIT电池具有高效的原理是： （1）全部制作工艺都是在低温下完成，有效地保护载流子寿命； （2）双面制结，可以充分利用背面光线； （3）表面的非晶硅层对光线有非常好的吸收特性； （4）采用的n型硅片其载流子寿命很大，远大于p型硅，并且由于硅片较薄，有利于载流子扩散穿过衬底被电极收集； （5）织构化的硅片对太阳光的反射降低； （6）利用PECVD在硅片上沉积非晶硅薄膜过程中产生的原子氢对其界面进行钝化，这是该电池取得高效的重要原因。;（2）多晶硅高效电池 ;◆澳大利亚新南威尔士大学—采用类似PERL电池技术使电池的效率达19.8％，该工艺打破了多晶硅电池不适合采用高温过程的观念，但电池的制造过程烦琐，不适合商业化。 ◆美国乔治亚(Geogia)工大—采用磷吸杂和双层反射膜技术，使用电阻率0.65 Ωcm、厚度280 ?m的HEM（热交换法）多晶硅片制作电池，使电池的效率达到18.6％。 ◆德国 Fraunhofer研究所 20.3% —世界记录，如能在工业生产中大规模使用该新技术，基于成本低廉的优势，预计多晶硅电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。;◆日本 京瓷（Kyocera）公司采用了PECVD/SiN+表面织构化使15cm?15cm大面积多晶硅电池效率达17.7％，已实现商业化。;（1）硅片减薄 硅片是晶体硅电池成本构成中的主要部分。 降低硅片厚度是减少硅材料消耗、降低晶体硅太阳能电池成本的有效技术措施，是光伏技术进步的重要方面之一 。 早期的硅片通常是用内圆锯切割，厚度约350-400 ?m ，切片损耗约50%左右。线锯发明后，不但硅片大大减薄，而且切片损耗大大降低。目前硅片的一般厚度为180-240 ?m ，未来可以薄到150-180，甚至更薄，从而大大降低成本.;30 多年来，太阳电池硅片厚度从70 年的450～500 ?m 降低到目前的180～240 ?m。;◆日本Sharp单晶硅组件;◆德国Fraunhofer-超薄多晶硅高效太阳能电池–20.3%-世界记录 ;◆澳大利亚Origin Energy公司高效长条薄片太阳电池（Sliver Solar Cells）; ◆ Kyocera公司于2008年6月11日宣布，开发了新的太阳能电池制造工艺，该工艺可在其用于制造光伏太阳能电池和模块用的多晶硅同样消费量情况下使效率提高。 　　新的大规模生产工艺可使Kyocera公司制造的太阳能电池厚度减薄至180 ?m ，采用了硅锭切片和晶片涂层的最新技术。 　　采用这一技术可使该公司在今后3年内使太阳能模块生产能力翻一倍以上，而使其硅的消费减少至最大限度。 ;（2）带状多晶硅制造技术 为了减少切片损失，在过去几十年里开发过很多种制造片状硅或带硅的技术。在80年代国际上曾出现过很多种生长硅带的方法，但大部分都处于实验室阶段，其原因是：1、在高温过程中通过设备引入了过多杂质，达不到要求的纯度；2、在再结晶过程中要求的高冷却速率会使晶体中产生过多的缺陷。在生长速度与硅带质量之间寻找平衡，其降低成本的技术难度比晶锭硅高。下边介绍几种比较成熟的带硅技术。 ;①限边喂膜（EFG）带硅技术 采用适当的石墨模具－电池效率13％－15％。该技术于90年代初实现了商业化生产，目前属于ASE公司所有。; 用限边喂膜法进行大批量生产时，应满足的主要技术条件为：①采用自动控制温度梯度、固液交界的新月形的高度及硅带