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Array工艺过程;一、Array工艺流程简介 二、Clean工艺简介 三、Sputter工艺简介 四、PECVD工艺简介 五、 Photo工艺简介 六、 Etch工艺简介 七、 Strip工艺简介 八、4 Mask和5 Mask比较 九、4Mask工艺流程; 一. Array工艺流程简介; 二、Clean工艺简介; 二、 Clean工艺简介; 二、 Clean工艺简介; 二、 Clean工艺简介; 三、 Sputter工艺简介; 三、 Sputter工艺简介; 三、 Sputter工艺简介;; 三、 Sputter工艺简介 质量控制： Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（4-probe）。控制值为Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。 PI是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为Dep中产生的particle数量，Gate要求小于50ea,SD要求小于100ea，ITO要求小于150ea. Thickness是采用机械的方法测量薄膜厚度，测量仪器为a-step设备。它是检测非透明薄膜厚度的常用手段。Sputter所dep的三层薄膜均可以用a-step设备来测试。另外，由于ITO为透明膜，它也可以用光学方法来测试。 Stress测量的是薄膜应力，薄膜应力太大，容易引起玻璃基板弯曲乃至broken。 质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。; 三、 Sputter工艺简介;SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体, 辉光放电生成等离子体在衬底上成膜。; 四、 PECVD工艺简介; 四、 PECVD工艺简介; 四、 PECVD工艺简介; 五、 Photo工艺简介; 五、 Photo工艺简介; 五、 Photo工艺简介; 五、 Photo工艺简介; 五、 Photo工艺简介; 五、 Photo工艺简介; 六、 Etch工艺简介; 六、 Etch工艺简介; 六、 Etch工艺简介; 六、 Etch工艺简介; 六、 Etch工艺简介; 七、 Strip工艺简介;; 4Mask与5Mask不同之处在于4mask将Active层与S/D层一起沉积，涂覆PR胶后进行一次mask，在PR胶上形成一个凹坑。显影后进行第一次S/D层和Active层的刻蚀，然后Ashing使PR胶凹坑处露出S/D层，接着进行第二次S/D层和N+层的干法刻蚀，最后进行剥离，同时完成这两层的全过程。;;4Mask工艺流程 1 .Gate process 2 .SDT process 3 .PVX process 4 .ITO process;Gate Mask目的:为形成Gate Line,通过光刻形成PR pattern;glass;glass;Sputter Chamber; 九、4Mask工艺流程介绍-Gate process; 九、4Mask工艺流程介绍-Gate process---Bake;; 九、4Mask工艺流程介绍-Gate process--- Interface;glass; Gate层所镀膜的材料及膜厚： AlNd：3000? Mo：400?; 九、4Mask工艺流程介绍-Gate process－－－Aligner; 九、4Mask工艺流程介绍-Gate process－－－Developer;; 九、4Mask工艺流程介绍-Gate process－－－Wet Etch;;;;GT Exposal Develop;;;;;1. Pre Dep. Clean;;3. VIA Mask;;1. Pre Dep. Clean;2. ITO Deposition;;谢谢大家