材料表面与界面第二章表面结晶学.pptVIP

第2章 表面结晶学 Chapter 2 Crystallography of Surface 2.1 理想表面结构 理想表面是一种理论上的结构完整的二维点阵平面。如果忽略晶体内部周期性势场在晶体表面中断的影响；忽略表面上原子的热运动以及出现的缺陷和扩散现象；忽略表面外界环境的物理和化学作用等等内外因素；则可以把晶体的解理面认为是理想表面。 表面二维晶体结构 如同三维晶体结构一样，任何一个二维周期性结构均可以用一个二维点阵加上结构基元来描述。 点阵就是在一平面上点的无限排列，围绕每一点的环境都是相同的。 结构基元可以是一个原子也可以是许多原子的组合。 所谓对称操作 (symmetry operations) 就是能使结构复原的动作。 二维晶体的对称性质可以用三种对称操作来描述：平移、旋转和反映（镜面）。 (1) 平移对称性—平移群 (2) 点对称性—点群 10个二维点群 (3) 二维Bravais点阵 5种独立的Bravais点阵 5种独立的Bravais点阵－续 (4) 二维空间群 17种二维空间群 2. Miller指数 二维Miller指数 不同Miller指数原子排举例 典型金属的晶体结构 (1) 从体心立方bcc (Fe, W等)预测的相关面 (2) 从面心立方fcc (Pt,Au,Cu等)预测的相关面 2.2 清洁表面结构 清洁表面指不存在任何污染的化学纯表面，即不存在吸附、催化反应或杂质扩散等一系列物理化学效应的表面。 这种清洁表面的化学组成与体内相同，但周期结构可以不同于体内。 由于表面上电子波函数的畸变，使原子处于高能态，容易发生弛豫和重排，所以其结构偏离理想的二维点阵结构，形成新的、较为复杂的二维结构。 清洁表面结构的特征就是表面原子弛豫和重排，而弛豫的机理比较复杂，最简单的规律是解理面上断键的饱和趋势。其它如双电层结构、松散结构等还同极化、静电力、原子结合力等因素有关。 清洁表面结构，以偏离理想解理面的程度来标志。研究方法是实验与模型相结合的“自洽法”。根据表面原子的静电状态、电子波函数等理论上的分析，提出初步模型，再经过微观分析，证实模型并进一步作数据处理，从而修正模型得到比较接近实际的模型再对照实验经过多次反复，力求得到比较满意的结果，使其在定量研究方面的一些“近似解”逐步趋于完善。 2.2.1 表面结构的表述方法 当晶体解理时，由于各种因素的影响，很难得到完整的平面结构，如果畸形程度小，可以近似地认为是平面。还常常出现一种比较有规律的非完全平面结构，称之为台阶结构。 对于平面结构和台阶结构，分别用不同的方法表述。 根据表面原子的排列，清洁表面又可分为台阶表面、弛豫表面、重构表面等。 图2-2 Pt（557）有序原子台阶表面示意图 （一）台阶表面 (图2-2 ) 台阶表面不是一个平面，它是由有规则的或不规则的台阶的表面所组成。 由于晶体内部缺陷的存在等因素，使晶体内部应力场分布不均匀，加上在解理晶体时外力情况环境的影响，晶体的解理面常常不能严格地沿所要求的晶面解理，而是伴随着相邻的倾斜晶面的开裂，形成层状的解理表面。它们由一些较大的平坦区域和一些高度不同的台阶构成，称为台面－台阶－拐结（Terrace－Ledge－Kink）结构，简称台阶结构或TLK结构。 这类结构比较普遍地发生在一些金属及其氧化物，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及其化合物晶体的某些晶面上，如Cu、Au、W、Pt、Pd、Si、Ge、As、GaAs、ZnO等，其它如某些卤化碱材料的某些晶面上也能观察到。LEED衍射实验已证明台阶结构类型的存在，并可以推算出台阶高度和密度。 台阶结构中，有时出现拐结，有时不出现拐结。 通用的台阶结构表述符号为： E(s)-[m(hkl)×n(h?k?l?)] （2.2-1） 其中：E代表化学元素符号；s为台阶结构的标志；m为台面宽度，以台面上的原子列数表示，标志了台面的周期；（hkl）为构成台面的晶面指数；n为台阶高度，以台阶所跨的子层数表示；（h?k?l?）为构成台阶的晶面指数。 图2.2-1中列举了两种台阶结构。 （二）平坦表面（包括弛豫表面和重构表面） 平坦表面表述方法，一般采用Wood（1963）方法。这种方法主要是以理想的二维点阵为基，描述发生点阵畸变的清洁表面点阵结构。畸变后的表面通常称为再构表面，再构是由原子的重排和弛豫所致。 以理想解理面作为衬底，已知其平移群为： T=ma+nb 其中a，b为衬底点阵基矢。 再构表面形成的二维点阵达到稳定时也同样具有平移群。 Ts=m?as+n?bs 其中as，bs为再构表面点阵基矢。 表面再构后，其点阵结构同理想二维点阵的偏离主要通过再构点阵基矢as，bs相对于衬底点