igbt的结构原理及特性.pptVIP

现代电力电子技术 ——3.5 绝缘栅双极晶体管（IGBT）;CONTENT;1 IGBT简介 IGBT，绝缘栅双极晶体管（ Insulated Gate Bipolar Transistor ），它是由BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。 BJT（Bipolar Junction Transistor）双极结型晶体管主要特征是：耐压高、电流大、开关特性好。 缺点：驱动功率大、驱动电路复杂、开关速度慢。 MOSFET绝缘栅型场效应管主要特征是：驱动电路简单，所需要的驱动功率小；开关速度快、工作频率高。 缺点：电流容量小、耐压低;英飞凌IGBT 三菱IGBT;2 IGBT的国内外研究现状 纵观全球市场，IGBT主要供应厂商基本是欧美及几家日本公司，它们代表着目前IGBT技术的最高水平，包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国IR、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司。在高电压等级 领域（3300V以上）更是完全由其中几家公司所控制，在大功率沟槽技术方面，英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。这些公司不仅牢牢控制着市场，还在技术上拥有大量的专利。;近几年，国内IGBT技术发展也比较快，国外厂商垄断逐渐被打破，已取得一定的突破，国内IGBT行业近几年的发展大事记： （1）2011年12月，北车西安永电成为国内第一个、世界第四个能够封装6500V以上IGBT产品的企业。 （2）2013年9月，中车西安永电成功封装国内首件自主设计生产的50A/3300V IGBT芯片； （3）2014年6月，中车株洲时代推出全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线投入使用； （4）2015年10月，中车永电/上海先进联合开发的国内首个具有完全知识产权的6500V高铁机车用IGBT芯片通过高铁系统上车试验； （5）2016年5月，华润上华/华虹宏力基于6英寸和8英寸的平面型和沟槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已进入量产。;1 　ＩＧＢＴ的基本结构 三端器件：栅极G、集电极C、发射极E。;２　ＩＧＢＴ的工作原理 ＩＧＢＴ的驱动原理与电力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一种场控器件，其开通和关断由栅射极电压uGE决定； 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通； 关断：栅射极间施加反??或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 ;1 静态特性;?;２　动态特性;（１）IGBT的开通过程 开通延迟时间td(on) —从uGE上升至其幅值10%到iC上升到幅值的10% 的时间?； 上升时间tr —iC从幅值的10%上升至90%所需时间； 开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。 即：ton = td(on) + tr uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。tfv1—IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程；tfv2—MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。;（1）最大集射极间电压UCES — 由内部PNP晶体管的击穿电压确定； （2）最大集电极电流—包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP ； （3）最大集电极功耗PCM —正常工作温度下允许的最大功耗 。;?;谢谢！