SM7055-12非隔离恒压电源驱动icPWM电流式控制方案替换长运通方案.docxVIP

SM7055-12 特点 拓扑结构支持：低成本 BUCK、BUCK-BOOST 等方案 采用 730V 单芯片集成工艺 85Vac~265Vac 宽电压输入 待机功耗小于 120mW@220Vac 集成高压启动电路 集成高压功率开关 60KHz 固定开关频率 概述 SM7055-12 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压启动电路和高压功率管，可实现低成本、高性价比开关电源系统解决 方案。 芯片使用于 BUCK、BUCK-BOOST 系统方案，支持 12V 输出电压，很方便的使用于小家电产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等完善的保护功能，保证了系统的可靠性。 管脚图 内置抖频技术，提升 EMC 性能 电流模式 PWM 控制方式 内置过温、过流、过压、欠压等保护功能 内置软启动 GND NC NC HVDD DRAIN 8 GNDSM7055-12DRAIN GND HVDD GND SM7055-12 DRAIN GND HVDD SM7055-12 DRAIN 6 123DRAIN 5 1 2 3 内置智能软驱动技术（ 提高 EMC 性能） 输出功率表 DIP8 TO252-2 封装形式：TO252-2、DIP8 输入电压 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac DIP8 200mA 250 mA 最大电流 TO252 250mA 300 mA 使用领域 电饭煲、电压力锅等小家电产 品电源 典型示意电路图 AC + 2 SM7055-12U1SM7055-12 SM7055-12 U1 GND + 1 3 Vout SM7055-12XX·XX@XXX★★★★**** SM7055-12 XX·XX@XXX ★★★★**** 生产 Lot 号 12：12V 输出 芯片名称 ★★★★表示批号**** ★★★★表示批号 ****表示周号 名称 管脚序列 管脚说明 TO252 DIP8 GND 2 1 芯片地 HVDD 3 4 芯片电源端 DRAIN 1 5,6,7,8 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启 动脚 NC 2,3 悬空脚 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V HVDD 芯片电源电压 -0.3～20 V IHVDD 嵌位电流 10 mA VESD ESD 电压 2000 V TJ 结温 -40～150 ℃ TSTG 存储温度 -55～150 ℃ 热阻参数 符号 说明 范围 单位 RthJA 热阻(1) 45 ℃/W 注（1）：芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所有的 GND 脚。 电气工作参数 符号说明条件范围单位最小典型 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BVDS 漏源击穿电压 730 V IDSS DRAIN 端关断态漏电流 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A 22 Ohm HVDDON HVDD 开启电压 11.5 V HVDDOFF HVDD 关闭电压 8 V HVDDHYS HVDD 迟滞阈值电压 3.5 V IDD2 HVDD 工作电流 HVDD=11V 0.5 mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; HVDD=5V -500 uA FOSC 芯片振荡频率 60 KHz △Fosc 抖频范围 4 % TOVT 过温保护温度 150 ℃ 功能表述 R1 D1 L1 GND D3 AC RV1 + + C1 C2 C4 2GNDSM7055-12 2 GND SM7055-12 HVDD3C3 HVDD 3 R2 D2 DRAIN1 DRAIN 1 电路图说明 上图为典型的 BUCK-BOOST 电路，其中 C1、C2、L1 组成π型滤波，有益于改善 EMI 特性；R1 电阻为浪涌抑制元件；D1 为整流二极管，构成半波整流电路。 输出部分 L2 为储能电感，D2 为 HVDD 供电二极管；D3 为续流二极管，在芯片关断期间提供输出电流通路。 VOUT ? HVDD ? 0.7V (0.7V 为二极管 D2 的导通压降) HVDD 电压 当开关电源启动后，C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电，当 C3 电容电压达到 11.5V，内部高压启动 MOS 管关闭，同时 PWM 开启，系统开始工作。 tV O U T t V O U T t 欠 压保 护 H V D D O F F H V D