第五章非平衡载流子讲解.pptVIP

第五章 非平衡载流子 §5.1 非平衡载流子的流入与复合 §5.1 非平衡载流子的流入与复合 半导体中，载流子浓度与温度相关 本章重点： 如何使式(5-1)不成立，以及不成立的规律、恢复热平衡的过程、及各种可能的机理。 若使式(5-1)不成立，在确定的温度T下，对特定的半导体材料(Eg一定)，只有使 n0或p0突然发生变化，变化原因是各种外场： 非平衡的产生 外场：光效应、热效应、电效应、磁效应。 光效应： N型半导体的非平衡情况 基本定义 n0+?n: 非平衡多数载流子； p0+?p: 非平衡少数载流子。 在小注入的情况下，常有： p0 ?n n0 非平衡少数载流子的作用 非平衡少数载流子对电导率的影响： 实验检测图： 光照时，R ? r ，电阻变化很小，I 不变。 结论：示波器观察到的压降变化来源于?p 用示波器测量半导体两端的压降，光照时引起： 第五章 非平衡载流子 §5.2 非平衡载流子的寿命 光照停止时，半导体中仍存在非平衡载流子。电子和空穴的浓度比平衡时要高，它们在热运动中相遇复合的机会将大于产生电子-空穴对的机会。随着时间的增长，非平衡载流子浓度逐渐减少，直至恢复热平衡状态。非平衡载流子浓度的衰减过程，可以用一个时间参量来表征其衰减的快慢------非平衡载流子的 统计计算 设从停止光照的t = 0时刻，非平衡载流子浓度?p开始衰减，其衰减速率与非平衡载流子的浓度成正比，比例系数为复合的散射几率。 从?p(0)至浓度为?p/e所花的时间为 (?p)0 ? 平均生存时间：? 实验测量方法及结果 测量平均生存时间(寿命)的实验方法： 高频光电导衰减法、光磁电法。 材料的寿命： 锗： 104 ?s ；硅(纯)： 103 ?s 砷化镓： 10-8 ~10-9 s 平面硅器件: 几十?s 以上 第五章 非平衡载流子 §5.3 准费米能级 热平衡态，整个(系统)半导体有统一的费米能级。 因n0p0 = ni2，则费米能级随n0变动 在非平衡态：n = n0 + ? n 电子浓度增大，EF上升， p = p0 + ? p 空穴浓度增加， EF下降。 非平衡态的费米能级 用准费米能级描述 用EFn描述稳定非平衡态时的：n = n0 + ? n 用EFp描述稳定非平衡态时的：p = p0 + ? p 只要是非简并条件(电子准费米能级不进入导带和空穴准费米能级不进入价带)，上述条件总是适用。n与n0、ni和p与p0和pi的关系如下 准费米能级的性质 非平衡载流子的浓度可以通过两个准费米能级的大小表示出来：非平衡载流子的浓度越高，准费米能级的上下差距越大。其中，n型半导体的电子费米能级变化不大，而空穴费米能级的变化较大。 总之，偏离越大，不平衡情况越显著。两者形成统一的费米能级时，说明半导体处于平衡态。 第五章 非平衡载流子 §5.4 复合理论 在光照的表面，非平衡载流子浓度较高，体内浓度较低。由此产生了非平衡载流子的扩散。 非平衡载流子向体内的扩散过程，是少子向多子的区域扩散的过程，在这种扩散的运动过程中会发生粒子间的碰撞，碰撞的结果如何？ (1)改变少子的运动方向，继续扩散； (2)少子被多子吃掉，“复合”成为中性原子。 弹性碰撞导致了粒子的扩散；非弹性碰撞导致了粒子的复合。 热平衡是载流子的产生与复合的平衡，温度一定时：载流子产生的速率一定，而复合则与非平衡载流子的浓度有关。 保持平衡时： 产生率=复合率 非平衡载流子如何复合？(本章重点) 大致上可以分为两种： (1)直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合； (2)间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合，且分为体内和表面。 电子-空穴对的复合 复合产生的效应 1.直接复合 基本概念： 产生率：单位时间、单位体积内 产生的电子-空穴对的数目； 复合率：单位时间、单位体积内复 合的电子-空穴对的数目。 直接复合是指导带中的电子直接落入价带与空穴复合，导致电子空穴对的消失； 其逆过程为由于热激发等原因，价带中的电子以一定的几率跃迁到导带上去，产生电子空穴对。 复合率与产生率 单位体积内，每个电子都有一定的几率与空穴复合，用复合几率r 表示。r与电子的平均热运动速率相关。空穴浓度P越大，复合的空穴数越多；导带的电子浓度越大，复合的电子数越多；电子空穴对的复合与两者成正比。复合率用R表示；产生率用G表示，s为激发几率。 温度一定，r 一定，R 值一定。 平衡时，n = n0, p = p0, 产生率(generate)： G