半导体器件内离子有效LET值测量方法研究-电子学报.pdf

第１０期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４６　Ｎｏ．１０ ２０１８年１０月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｏｃｔ．　２０１８ 半导体器件内离子有效 ＬＥＴ值测量方法研究 史淑廷，郭　刚，刘建成，蔡　莉，陈　泉，沈东军，惠　宁，张艳文， 覃英参，韩金华，陈启明，张付强，殷　倩，肖舒颜 （中国原子能科学研究院核物理所，国防科技工业抗辐照应用技术创新中心，北京 １０２４１３） 　　摘　要：　提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效ＬＥＴ值测量方法．首先对半导体器件内收集电荷量与 入射离子有效ＬＥＴ值之间的关系进行了分析，根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效ＬＥＴ 值的方法；然后建立了半导体器件电荷收集测试系统，利用ＰＮ结和ＳＲＡＭ对测量方法进行了验证；最后成功利用该 方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常． 关键词：　单粒子效应；电荷收集；有效ＬＥＴ值；ＳＲＡＭ 中图分类号：　ＴＬ８４，Ｏ５７１６　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１８）１０２５４６０５ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１８．１０．０３２ ＳｔｕｄｙｏｆＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｆｔｈｅＩｏｎＥｆｆｅｃｔｉｖｅＬＥＴｉｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＤｅｖｉｃｅｓ ＳＨＩＳｈｕｔｉｎｇ，ＧＵＯＧａｎｇ，ＬＩＵＪｉａｎｃｈｅｎｇ，ＣＡＩＬｉ，ＣＨＥＮＱｕａｎ，ＳＨＥＮＤｏｎｇｊｕｎ，ＨＵＩＮｉｎｇ，ＺＨＡＮＧＹａｎｗｅｎ， ＱＩＮＹｉｎｇｃａｎ，ＨＡＮＪｉｎｈｕａ，ＣＨＥＮＱｉｍｉｎｇ，ＺＨＡＮＧＦｕｑｉａｎｇ，ＹＩＮＱｉａｎ，ＸＩＡＯＳｈｕｙａｎ （ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＮｕｃｌｅａｒＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎａＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｔｏｍｉｃＥｎｅｒｇｙ，ＮａｔｉｏｎａｌＩｎｎｏｖａｔｉｏｎＣｅｎｔｅｒｏｆＲａｄｉａｔｉｏｎＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０２４１３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　ＡｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅＬＥＴｏｆｉｎｃｉｄｅｎｔｉｏｎｓｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｍｅｔｈｏｄｂａｓｅｄｏｎｃｈａｒｇｅｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎｔｅｓｔｔｅｃｈｎｉｑｕｅｉｓｐｒｏ ｐｏｓｅｄ．Ｆｉｒｓｔｌｙ，ｔｈｅｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅＬＥＴａｎｄａｍｏｕｎｔｏｆｃｏｌｌｅｃｔｅｄｃｈａｒｇｅｃａｕｓｅｄｂｙｉｎｃｉｄｅｎｔｉｏｎｓｉｎｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ ｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓａｎａｌｙｚｅｄ，ａｎｄａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅＬＥＴｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｍｅｔｈｏｄｉｓｒａｉｓｅｄ．Ｔｈｅｎａｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ ｔｏｒｄｅｖｉｃｅｃｈａｒｇｅｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎｔｅｓｔｓｙｓｔｅｍｉｓｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄａｎｄｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅＬＥＴｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄｉｓｖｅｒｉｆｉｅｄｕｔｉｌｉｚｉｎｇＰＮｊｕｎｃｔｉｏｎａｎｄ ＳＲＡＭ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅＬＥＴｉｎａｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｔｈａｔｈａｓａｂｎｏｒｍａｌＳｉｎｇｌｅＥｖｅｎｔＵｐｓｅｔｃｒｏｓｓｓｅｃｔｉｏｎｄａｔａｉｓ ｍｅａｓｕｒｅｄａｎｄｆｉｎｄｔｈｅｒｅａｓｏｎｆｏｒｔｈｅａｂｎｏｒｍａｌｄａｔａ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：　ｓｉｎｇｌｅｅｖｅｎｔｅｆｆｅｃｔ；ｃｈａｒｇｅｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ；ｅｆｆｅｃｔｉｖｅＬＥＴ；ＳＲＡＭ ［４］ 上的差异 ． １　引言 第二，离子倾斜入射时的有效