使用线阵型CCD实现高精度二维位置测量的方法.docxVIP

TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 第一章电荷耦合元件 -1- \o Current Document 1.1电荷耦合元件简介 -1- \o Current Document CCD的基本原理 -1 - \o Current Document 线阵 CCD -2- \o Current Document 1.2CCD功能特性 -3- \o Current Document 1.3CCD白勺应用 ?3? \o Current Document 第二章使用线阵型CCD实现高精度二维位置测量的方法 -6- \o Current Document 2」二维位置测量系统设计实例 -6- \o Current Document 2.1.1球面镜一柱面镜组合的特性 -6- \o Current Document 2.1.2二维位置测量光学系统 -6- \o Current Document 2.1.3高精度二维位置测量系统 -7- \o Current Document 2.2光学系统设计 -9- \o Current Document 2.2.1二维位置测量的应用 -9- \o Current Document 2.2.2光学系统设计 -9- 结论 -11 - \o Current Document 参考文献 ?12? 第一章电荷耦合元件 1.1电荷耦合元件简介 电荷耦合元件（CCD）,英文全称Charge-coupled Device0可以称为CCD图像传 感器。CCD是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。CCD±植入的微小 光敏物质称作像素（Pixel）o 一块CCD±包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就 越高。CCD的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。CCD±有许多 排列整齐的电容，能感应光线，并将影像转变成数字信号。经由外部屯路的控制，每个 小电容能将其所带的电荷转给它相邻的电容。 1.1.1 CCD的基本原理 1、 CCD的基本结构 转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。构 成CCD的基本单元是MOS电容。 一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导体衬底制成，衬底可以是P型或N型材料, 上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极 （栅极）。 2、 电荷存储 以衬底为P型硅构成的MOS电容为为例。 当在金属电极加上一个正阶梯电压时，在Si-5iO2界面处的电势发生变化，附近的 P型硅中的多数载流子■空穴被排斥，形成耗尽层。如果栅极电压超过MOS晶体管的开 启电压，则在Si-SiO2界面处形成深度尽状态，电子在那里势能较低■形成了一个势阱。 如有信号电子，将聚集在表面，实现电荷的存储。此时耗尽层变薄。势阱的深浅决定存 储电荷能力的大小。 3、 电荷转移 CCD的转移电极相数有二相、三相、四相等。对于单层金屈化电极结构，为了保 证电荷的定向转移，至少需要三相。这里以三相表面沟道CCD为例。 表面沟道器件，即SCCD （Surface Channel CCD） ——转移沟道在界面的CCD器件。 4、 光信号注入 CCD的电荷注入方式有电信号注入和光信号注入两种，在光纤系统中，CCD接收 的信号是由光纤传来的光信号，即采用光注入CCDo 当光照到CCD时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子■空穴对，在栅极电压的作用 下，多数载流子（空穴）流入衬底，少数载流子（电子）被收集在势阱中，存储起來。 这样能量高于半导体禁带的光子，可以用来建立正比于光强的存储电荷。 5、 电荷检测（输出） CCD输出结构是将CCD传输和处理的信号电荷变换为电流或电压输出。电荷输岀 结构有多种形式，如电流输岀结构、浮置扩散输出结构、浮置栅输出结构等。浮置栅输 出结构应用最广。 1.1.2 线阵 CCD 结构简单，成本较低。可以同时储存一行电视信号.由于其单排感光单元的数 目可以做得很多，在同等测量精度的前提下，其测量范围可以做的较大，并且由 于线阵CCD实时传输光电变换信号和自扫描速度快、频率响应高，能够实现动态 测量，并能在低照度下工作，所以线阵CCD广泛地应用在产品尺寸测量和分类、 非接触尺寸测量、条形码等许多领域。 线阵CCD可分为双沟道传输与单沟道传输两种结构。下图（a）为单沟道，（b）为双沟 道。 （叭 特点:由于CCD像元是有间隔的，不论面阵还是线阵CCD获取的图像外观虽 然是致密的，但实质上都是离散图像，但面阵CCD像元在纵横两个方向间隔一致， 其图像的离散度是一致的，而线阵CCD图像由于存在像元间距和扫描行距，像素 点在两个坐标方向上的距离分别是像元间距和担