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第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ,
28 9 Vol.28 No.9
年 月 ,
2016 9 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Se. 2016
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复杂结构沿面闪络产生发展阶段模拟研究*
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王 川 邹 俭 张天爵 曾乃工
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中国原子能科学研究院 串列升级工程部 北京 102413
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摘 要 以天光 装置 负载腔为例 采用包含场致发射 二次电子倍增模型的三维模拟软件
Ⅱ-A X-inch
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OPAL对复杂结构中真空绝缘体沿面闪络的产生与发展阶段进行了模拟研究 模拟结果表明 阳极产生的二
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次电子在平行于绝缘体表面的电场分量的作用下从阴极座向大半径的运动 是导致沿面闪络的主要原因 并
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提出了阻断沿面闪络的方法及其原理 采用阻断沿面闪络的措施后 后续多次 X-inch负载腔放电实验证明
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正常的回流电流增加了近 20% 真空绝缘体上的沿面闪络得到了抑制
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关键词 真空沿面闪络 场致发射 二次电子倍增 三维模拟研究
中图分类号: ; 文献标志码: : /
O246 O462 A doi10.11884HPLPB201628.151091
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绝缘体真空沿面闪络放电击穿是限制真空绝缘耐压水平进一步提高的主要原因 经过多年的研究 人们
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对真空中绝缘体的沿面闪络现象的产生 发展和形成过程已经有了较深入的理论认识 对于真空中绝缘体的沿
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面闪络现象 一般认为其过程分为三个阶段 产生 发展和形成 在产生阶段
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