复合双压电层FBAR的建模与仿真.PDFVIP

第38 卷 第2 期 电 子 科 技 大 学 学 报 Vol.38 No.2 2009年3月 Journal of University of Electronic Science and Technology of China Mar. 2009 ·电子信息材料与器件· 复合双压电层FBAR的建模与仿真 1 1 2 1 1 杨成韬 ，李健雄，许绍俊，王 锐 ，张树人 (1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054; 2. 四川石油管理局地质勘探开发研究院 成都 610051) 【摘要】在复合单压电层薄膜体声波谐振器(FBAR)的基础上，提出了一种新型的复合双压电层FBAR ，它可以大大提高 压电材料选择的灵活性。通过建模得到该结构的输入阻抗解析表达式，据此进行了仿真分析。仿真结果表明，基模谐振频率 随双压电层结构中的较高声速压电膜的厚度所占比率的增加而加速增大，而相对带宽随较高机电耦合系数的压电膜的厚度与 较低机电耦合系数的压电膜的厚度比的增加逐渐增加，并且复合双压电层FBAR 出现了单压电层时所没有的模式。 关 键 词 解析解; 双压电层; 薄膜体声波谐振器; 输入阻抗; 谐振频率 中图分类号 TN65 文献标识码 A doi: 10. 3969/j. issn. 1001-0548. 2009. 02. 34 Modeling and Simulating of Complex Double Piezoelectric Layers’ FBAR 1 1 2 1 1 YANG Cheng-tao , LI Jian-xiong , XU Shao-jun , WANG Rui , and ZHANG Shu-ren (1. State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 6 10054; 2. Center of Geological Exploration Development Research Institute, SPA Chengdu 610051) Abstract Based on complex single piezoelectric layer’s film bulk acoustic resonator (FBAR), a new kind of complex double piezoelectric layers’ FBAR is proposed. This structure can greatly improves the flexibility of the selection of piezoelectric materials for FBAR. The analytical expression of input impedance is derived and simulated. The results of simulation show that: 1) the resonant frequency of basic mode increases significantly with the thickness ratio of the piezoelectric layer with hi