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图2-15 X光子在生物组织中的吸收及生物效应过程 一、光电效应 1.光电效应 光电效应(photoelectric effect)也称光电吸收。能量为hv的光子通过物质时与物质原子的内层轨道电子相互作用，将全部能量交给电子，获得能量的电子摆脱原子核的束缚成为自由电子(即光电子)，而光子本身整个地被原子吸收，这样的作用过程称为光电效应。 根据爱因斯坦光电效应方程，若轨道电子的结合能为EB，则光电子的动能为: E=hv-EB 放出光电子的原子变为正离子，原子处于不稳定的激发态，其电子空位很快被外层电子跃入填充，同时放出特征X线光子。有时，特征X线在离开原子前，又将外层电子击脱，该电子称为俄歇电子。 光电效应的实质是物质吸收X线使其产生电离过程，此过程中产生次级粒子:①负离子(光电子、俄歇电子);②正离子(丢失电子的原子);③特征辐射。 2.光电效应发生概率：物质原子序数Z的影响、入射光子能量的影响、原子边界限吸收的影响 (1)物质原子序数Z的影响:光电效应的概率与Z的四次方成正比，即: 光电效应概率∝Z4 轨道电子与原子核结合得愈紧密，就愈容易发生光电效应。对于高Z物质，其轨道电子的结合能较大，不仅K层而且其他壳层上的电子也较容易发生光电效应。但对低Z物质，只有K电子结合能较大，所以光电效应几乎都发生在K层。再者，由原子的内层脱出光电子的概率比由外层脱出光电子的概率要大得多。若入射光的能量大于K电子结合能，则光电效应发生在K层的概率占80%，比外层高出4 -5倍。 2.光电效应发生概率 (2)入射光子能量的影响:光电效应发生的条件是入射光子能量必须等于或大于轨道电子结合能。但光子能量愈大光电效应的发生概率反而迅速减小。理论与实验都证明，光电效应的概率大约与光子能量的三次方成反比，即: 2.光电效应发生概率 (3)原子边界限吸收的影响:如果测出某一种物质对不同波长射线的光电质量衰减系数μm (mass attenuation coefficient)，就可以绘出μm与入射光子能量hv变化的关系图。 物质原子的边界限吸收特性有很大的实用价值，可在防护材料的选取，复合防护材料配方及阳性对比剂的制备等方面得到应用。 3.光电效应中的特征辐射 X线产生中的特征辐射与光电效应中的特征辐射的意思完全一样，唯一 的差别是击脱电子的方式不同：在X线管中击脱轨道电子的是从阴极飞来的高速电子，而在光电效应中则是X线光子，它们的结果都是造成电子空位，产生特征辐射。 碘和钡都是X线检查中常用的对比剂，其特征辐射具有较高的能量(碘是33. 2keV;钡是37. 4keV)，能穿过人体组织到达胶片产生灰雾。 钙是人体内原子序数最高的主要元素，它的K特征辐射只有4keV，远小于X线光子能量，在其发生后的几毫米之内就被吸收了。人体内其他元素的特征辐射的能量就更小了。可见，人体各组织由X线照射所产生光电效应的特征辐射将全被组织吸收。 [例] 管电压为100kV时，产生连续X线的最短波长、最强波长、平均波长和最大光子能量。 解：产生连续X线的最短波长为： 最强波长： 平均波长： 最大光子能量： 2．特征X线 特征辐射又称标识辐射(characteristic radiation)，与连续辐射的产生机理完全不同。 (1)特征X线产生的物理过程：钨的X线谱，管电压65kV时为连续X线；管电压升至100kV、150kV和200kV时，在三条连续谱线上叠加了一组波长位置不变、强度很大的线状光谱。线状光谱的波长与kV无关，完全由靶材料性质决定。不同靶材料都有自己特定的线状光谱，它表征靶物质的原子结构特性。这种辐射称为特征辐射，由此产生的X线称为特征X线。 图2-6 图2-7 (2)特征X线的激发电压：靶原子的轨道电子在原子中具有确定的结合能，只有当入射高速电子的动能大于其结合能时，才有可能被击脱造成电子空位，产生特征X线。特征X线是在原子内层电子的跃迁中产生的。 产生特征X线必须有一个激发电压(即kV)，例如，要激发K系射线，高速电子的能量(eUk)至少要≥击脱一个K电子所作的功(Wk)，K系的激发电压应满足： 表2-2 几种靶材料产生K、L系特征辐射的激发电压(kV) 靶材料 Z K系激发电压 L系激发电压 铝(A1) 13 1.56 0.09 铜(Cu) 29 8.98 0.95 钼(Mo) 42 20.00 2.87 银(Ag) 47 25.5 3.97 锡(Sn) 50 29.18 4.14 钨(W) 74 69.51 12.09 铅(Pb) 82