半导体物理第3章.pptVIP

第3章 半导体中载流子的统计分布 本章重点 计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子浓度； 探讨半导体中载流子浓度随温度变化的规律。 热平衡状态 一定的温度下，两种相反的过程（产生和复合）建立起动态平衡 电子从价带跃迁到导带（本征激发），形成导电电子和价带空穴。 与此同时，还存在着相反的过程，即电子从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定能量，从而使导带中的电子和价带中的空穴不断减少，这一过程称为载流子的复合。 半导体中的导电电子浓度（n0）和空穴浓度（p0）都保持一个稳定的数值 这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 当温度改变时，破坏了原来的平衡状态，又重新建立起新的平衡状态，热平衡载流子的浓度也将发生变化，达到另一稳定数值。 半导体的导电性强烈地随温度而变化，为什么？ 计算载流子浓度须掌握以下两方面的知识 允许的量子态按能量如何分布 状态密度 电子在允许的量子态中如何分布 费米分布函数 3.1状态密度 状态密度 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算能量间隔所对应的k空间体积； 计算能量间隔内的量子态数； 求得状态密度。 3.1.1 k空间中量子态的分布 对于边长为L的立方晶体 kx = 2?nx/L (nx = 0, ±1, ±2, …) ky = 2?ny/L (ny = 0, ±1, ±2, …) kz = 2?nz/L (nz = 0, ±1, ±2, …) k空间状态分布 3.1.2 状态密度(Density of States) 导带底E(k)与k的关系 3.1.2 状态密度 k空间的状态密度 能量E~(E+dE)间的量子态数 可得 代入可得 导带底附近状态密度 对于实际半导体材料 设导带底的状态有s个，根据同样方法可求得 其中 mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6 mdn=1.08m0 对于Ge，s=4 mdn=0.56m0 同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度 其中 mdp称为价带顶空穴的状态密度有效质量 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 3.2.1费米分布函数 服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计规律 k0玻尔兹曼常数，T绝对温度，EF费米能级 3.2.2玻耳兹曼分布函数 3.2.3导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 导出导带电子浓度的基本思路是：和计算状态密度是一样 认为能带中的能级是连续分布的，将能带分成一个个很小的能量间隔来处理。 对导带分为无限多的无限小的能量间隔，则在能量E到E+dE之间有 个量子态 而电子占据能量为E的量子态的几率是 则在E到E+dE间有 个被电子占据的量子态，因为每个被占据的量子态上有一个电子，所以在E到E+dE间有 个电子。 然后把所有能量区间中的电子数相加，实际上是从导带底到导带顶对 进行积分，就得到了能带中电子总数，再除以半导体体积就得到了导带中的电子浓度。 同理 3.2.4载流子浓度乘积n0p0 半导体材料的禁带宽度 热平衡状态下，对于一定的半导体材料，浓度积只由温度决定，而与所含杂质无关。 极限工作温度 半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度 这个工作温度受本征载流子浓度制约 一般半导体器件中，载流子主要来源于杂质电离，而将本征激发忽略不计。 在本征载流子浓度没有超过杂质电离所提供的载流子浓度的温度范围，如果杂质全部电离，载流子浓度是一定的，器件就能稳定工作。 但是随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加。 例如在室温附近，纯硅的温度每升高8K左右，本征载流子的浓度就增加约一倍。 而纯锗的温度每升高12K左右，本征载流子的浓度就增加约一倍。 当温度足够高时，本征激发占主要地位，器件将不能正常工作。 因此，每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就失效了。 例如，一般硅平面管采用室温电阻率为1?·cm左右的原材料，它是由掺入5?1015cm-3的施主杂质锑而制成的。 在保持载流子主要来源于杂质电离时，要求本征载流子浓度至少比杂质浓度低一个数量级，即不超过5?1014cm-3。 如果也以本征载流子浓度不超过5?1014cm-3的话，对应温度为526K，所以硅器件的极限工作温度是520K左右。 锗的禁带宽度比硅小，锗的器件工作温度比硅低，约为370K左右。砷化镓禁带宽度比硅大，极限工作温度可高达720K左右，适宜于制造