晶体管结构与作用.pptx

微电子制造原理与技术 第二部分 芯片制造原理与技术;主要内容;;本征半导体;掺杂物半导体;PN结与二极管的特性与构造;PN结的电流特性;;场效应晶体管（MOSFET） ;;特 性 与NMOS动作相反，当Vg ＜ 0 ，且绝对值较大时，栅极与N-Si的界面间形成空孔富集层（空孔隧道），源极与漏极连通，电流才能通过。 由于空孔的移动速度低于电子，故动作速度比NMOS慢，应用较少。 电子迁移率=1350cm2/V·S， 空孔迁移率= 480cm2/V·S ;两个pn结偏置状态相反 沟道由反型层构成，与源漏形成通路;P;NMOS电流电压特性;栅的作用类似与水闸的闸门;CMOS：Complemetary Metal-Oxide Semiconductor;将PMOS和NMOS做在同一集成电路上就形成了互补型金属氧化物半导体技术，也就是CMOS技术 主要特点为功耗低，是集成电路中被广泛采用的基本回路;CMOS应用例1：反相器;CMOS应用例2：乘法逻辑电路;CMOS应用例3：存储器;DRAM:四管动态MOS存储单元;CMOS应用例4：图像传感器（CIS）; 首先，外界光照射像素阵列，发生光电效应，在像素单元内产生相应的电荷。 行选择逻辑单元根据需要，选通相应的行像素单元。 行像素单元内的图像信号通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理单元以及A/D转换器，转