现代传感技术9讲.pptVIP

第二节 集成温敏传感器 将温敏晶体管及外围电路集成在同一个芯片上，构成集测量、放大、电源供电于一体的高性能测温传感器。 按输出信号分三类： 1）电压型：易于直接读出（A/D）。 2）电流型：便于远传（变电压后A/D）。 3）频率型：便于和数字化器件连接（不用A/D）。 一、PTAT核心电路 采用差分对管电路（VT1,VT2). 由图a),R1上电压： △Ube =kT/q ln(Jc1/Jc2) (5-15) *VT1和VT2完全相同时： Ic1/Ic2 =Jc1/Jc2 有 (5-14) 若使电流密度比（ Jc1/Jc2）不变，则： △Ube正比于热力学温度T. 若忽略基极电流，有： △Ube=R1Ic2 (5-16) 则 Ic2正比于T,为使Jc1/Jc2不变， 电流源Ic1也应该正比于T，称PTAT电路。 供电电源采用电流镜,图b）中VT3、VT4,保证二者基电极电流相等（ Ic1=Ic2） 。 实际制作时， Jc1/Jc2 =n,则： △Ube=kT/q ln(n) (5-17) 输出电流Io为： Io=2 △Ube/R1 (5-18) 特点：R1的数值和稳定性是关键。 图c）为电压输出型： R2kT Uo=IR2=-------- ln(n) (5-19) R1q 二、电流输出型集成温度传感器 AD590：电压4-30V;测温范围-55~150℃；灵敏度1μ A/ ℃;25 ℃(298.20K)时电流298.20 μ A,线性度好. 封装: 三端TO和片状封装。 VT1,2为温敏晶体管 发射极面积比: VT2:VT1=n=8:1 电流输出特性曲线： 理想的温度灵敏度1μ A/℃ 两种误差：斜率和平移。 校正方法： （1）一点校正：0℃或25℃。例如： 25℃时，调整RW，使UT=298.2 μ A (2) 二点校正: 0℃调RW1, Ut=0V; 100 ℃调RW2, Ut=10V; 三、集成温控开关 将测温-比较-控制电路集成一体。 例：AD22105，-40~150℃，8pins的DIP或SOIC封装。 设置温度点电阻Rset见式5-20所示。 考虑温度影响，电阻Rset标称阻值选择见式5-21所示。 选择金属膜电阻，温漂小。 有相似的其他产品可以选用，如Dallas公司的DS系列和Maxim公司的Max系列。 第三节 集成磁敏传感器 两类：1）结构型：根据法拉第电磁感应原理。只能检测变化，不能检测量，难小型化。 2）物性型：利用半导体的磁电转换特型。能检测交直流磁场，灵敏度 、可靠性高。 功能：开关型和线性型 工艺：双极型和MOS型 一、开关型集成磁敏传感器 1.工作原理 由5部分构成 图a. 霍尔元件:0.1T磁场下,输出20mV(开路)或10mV(负载). UH=KHIB (5-22) 差分放大器:放大UH 整形电路:施密特触发器,将电压→脉冲 输出三极管:单管或双管集电极开路(OC) 电源电路:稳压和恒流. 工作原理:图5-12 1)初始状态: B=0; UH=UH1-UH2=0;输出VT7、VT8截止； Uc7,Uc8=UOH≈E. 2)1次翻转： B正向磁场; UH=UH1-UH2 ﹥0;输出VT7、VT8饱和； Uc7,Uc8=UoL﹤0.4V. 导通磁感应强度，记为：B(H→L) 2)1次翻转： B减小; UH=UH1-UH2 ↓;输出VT7、VT8截止； Uc7,Uc8=UOH≈E. 截止磁感应强度，记为：B(L→H) 施密特触发器的滞环效应： △B= B(H→L)- B(L→H) 抗干扰能力强，无振荡。 二、开关型集成传感器特性 1.磁特性 导通B(H→L):0.035~0.075T. 截止B(L→H)：0.01T. 滞环宽度△B ：一般0.06T. 2.电特性 输出高电平UOH. 输出低电平UOL. 负载电流IOL. CS系列磁敏传感器参数见表5-1 3.温度特性: 应用:接近开关;位置开关,键盘开关等 特点:非接触，灵敏度高，可靠性好。 线性集成磁敏传感器:输出电压与B成线性关系。 三部分: 霍尔元件、差分放大器、射极跟随器 如：CS835。 * * *