简述应用特征功能方框图.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
核芯科技(深圳)有限公司 CK5G14 Core Technology Corp. 250V 三相栅极驱动 简述 特征 CK5G14 在同一颗芯片中 同时集成了三个 250V 半桥栅极 • 内部集成 250V 三相半桥高边和低边驱动器 驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET • 内置直通保护 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直 • 高边和低边驱动器内置欠压锁定 通保护 ,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯 • 兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平 片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害,芯片内 • 内置输入噪声滤波器 部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压 • 低静态电流 BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 • 驱动器汲出/汲入电流: 320mA/620mA dv/dt 噪声环境能稳定工作,并且使芯片具有宽范的负瞬 • 死区时间:0.55us(typ.) 态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间,可以通过 • 优秀 dv/dt 共模噪声消除电路 对 EN 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模 • 具有负瞬态电压忍受能力 式. • 低 di/dt 栅极驱动特性 ,更好的 EMI 性能

文档评论(0)

136****3783 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档