忆阻器的发展与应用课件.ppt

忆阻器的发展与应用 Contents 概念产生与发展 1 忆阻器元件的实现 2 忆阻器的应用前景 3 总结 4 概念产生与发展 什么是忆阻器？ 忆阻器（Memristor）的概念由加州大学伯克利分校的蔡少棠（Chua）在1971年提出。忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件，被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。 概念产生与发展 忆阻器的定义 由电路理论可知，三个传统的二端口电路元件电阻（R）、电容（C）、电感（L）建立了四个电路变量电压（V）、电流（I）、磁通量（φ）和电荷量（Q）间的联系。上述四个电路变量两两之间可以建立六个数学关系式，其中五对关系式已经为大家所熟知——分别来自R、C、L、Q 的定义和法拉第电磁感应定律（如图1所示），但φ、Q 间的关系却一直没被揭示。 概念产生与发展 忆阻器的定义 图1 概念产生与发展 忆阻器的定义 Chua从电路变量关系完整性角度，定义了增量忆阻M（Q）来描述φ、Q 间的这一关系： M（Q）=dφ（Q）/dQ （1） 满足公式（1）所定义关系的电路元件被称为忆阻器。 同时，由dφ=Vdt，dQ=Idt 可得： M（Q）=V/I （2） 因此，增量忆阻具有与电阻相同的量纲。 忆阻器元件的实现 实现忆阻器的模型和机理 随着人们对于忆阻概念理解的深入，实现忆阻性能的多种物理模型与机理在各研究领域被相继提出，真正意义上的忆阻器件成为现实。 LOGO 丝电导 机制 边界迁移模型 电子自旋 阻塞模型 氧化还 原反应 主要的忆阻器实现模型和机理 忆阻器元件的实现 ——模型和机理 边界迁移模型 边界迁移模型最初用于实现忆阻器具有的电路特性，如图所示该模型由位于两端的金属电极和电极间的掺杂半导体薄膜组成。 电极间的半导体薄膜由于基体中载流子浓度不同而分为低电阻的高掺杂浓度区和高电阻的低掺杂浓度区，结构两端加载的偏电压驱使高、低掺杂浓度区间的边界发生迁移，致使结构对外呈现随外加电压时间作用而变化的电阻。该结构呈现忆阻现象的物理机制是电场作用下氧空位缺陷的迁移。 忆阻器元件的实现 ——模型和机理 电子自旋阻塞模型 利用半导体/半金属（或铁磁材料）接触界面附近与自旋自由度相关的电子迁移受限现象，设计了基于自旋阻塞（Spin blockade）效应的忆阻器，其结构如下图所示。 忆阻器元件的实现 ——模型和机理 丝导电机制 下列图所示十字交叉杆结构由相互垂直的两层导电纳米线和中间的电解质层构成。外界施加的激励诱发电解质中导电丝的形成，此结构中，导电丝的增长等效于金属粒子在微观距离上的跳跃，可以引起结构电阻的指数衰减，使器件发生从高电阻状态向低电阻状态的转变，促使忆阻现象发生。 I-V 曲线体现出的电阻滞后转换 具有忆阻现象的十字交叉阵 忆阻器元件的实现 ——模型和机理 氧化还原反应 氧化还原反应的发生，往往伴随着反应物质化学状态的改变。因为物质在不同化学状态时对外界呈现的电阻往往又有差异，因此氧化还原反应引起的这种变化可以用来实现器件的忆阻效应。Berzina等通过设计下图所示的结构实现了基于有机材料（PANI）氧化还原反应的忆阻效应。 忆阻器元件的实现 ——模型和机理 其他相关机理 由忆阻器和忆阻系统的理论可知，外加激励能够引起导电状态发生变化的系统和器件都有被用来实现忆阻效应的可能。从这种角度讲，忆阻器的实现机理与模型有更广阔的研究范围，如电子隧穿效应、渗流理论、材料内陷阱的碰撞电离与重填等。关于阻值转换行为和模型的讨论也已在各种材料体系中被广泛涉及，并将引起更广泛的影响。 忆阻器元件的实现 ——模型和机理 忆阻器元件的实现 忆阻器的存在 借助于现代纳米技术中突破性的成果，惠普实验室于2008年证明了忆阻器的存在。 忆阻器元件的实现——忆阻器的存在 HP 的 Crossbar Latch研究 Crossbar Latch技术的原理是由一排横向和一排纵向的电线组成的网格，在每一个交叉点上，要放一个「开关」连结一条横向和纵向的电线。如果能让这两条电线控制这个开关的状态的话，那网格上的每一个交叉点都能储存一个位的数据。这种系统下数据密度和存取速度都是前所未闻的，但是什么样的材料能当这个开关？HP 的工程师当时并不知道要寻找的这种材料正是忆阻器。 Crossbar Latch 的试作品结果 忆阻器元件的实现——忆阻器的存在 HP 的 Crossb